Отправить страницу  |   Печать страницы  |   Выберите язык  |   Регистрация на подписку  |  
 Поиск

Выберите язык

English German French Italian Russian Chinese Japanese Korean

Силовые приборы

Карбид-кремниевые диоды Шоттки 2G thinQ!™ — теперь в корпусе TO-220 FullPAK

Image Сравнение теплового сопротивления стандартных компонентов Infineon в корпусе TO-220, Infineon в корпусе TO-220 FullPAK и конкурирующей продукции в корпусе FullPAK Image

Карбид кремния (SiC) — это идеальный материал для силовых полупроводниковых приборов. Приборы на его основе явно превосходят по быстродействию приборы из Si и GaN. Особенно начиная с диапазона 600В, они демонстрируют эталонные коммутационные характеристики (практически без потерь) и отличную проводимость. Эти свойства позволяют достичь нового уровня эффективности и упростить схемотехнику импульсных источников питания.

Кроме того, с ростом диаметра пластин SiC эта, ещё недавно экзотическая и дорогая технология становится всё более доступной.

Наше новое решение в корпусе FullPAK сочетает в себе отличные электрические характеристики карбид-кремниевых диодов Шоттки второго поколения (2G) компании Infineon с преимуществами полностью изолированного корпуса, причём без существенного ухудшения тепловых характеристик, присущего стандартным решениям в корпусе TO-220. Патентованная технология диффузной пайки обеспечивает заметное снижение теплового сопротивления кристалл—выводная рамка и позволяет позиционировать компоненты Infineon FullPAK как лучшие по характеристикам в своём классе.

Кроме того, компания Infineon предлагает наиболее широкий в отрасли ассортимент компонентов в данном корпусе с номинальным током до 6А. На рисунке показаны компоненты Infineon с одинаковым (номинал 2 и 3А) или немного более высоким (для других номинальных токов) тепловым сопротивлением кристалл—корпус. Небольшое различие в основном компенсируется при окончательной сборке с изолирующей фольгой для компонентов в стандартном корпусе TO-220. Благодаря патентованной технологии диффузионной пайки эти 2G thinQ!™ компоненты имеют явное преимущество перед конкурирующей продукцией (с номинальным током лишь до 3А).

Особенности Применение
  • Тепловые характеристики сопоставимы с характеристиками неизолированных корпусов благодаря используемой Infineon диффузионной пайке
  • Лучшие тепловые характеристики среди решений в корпусе FullPAK
  • Цена, сопоставимая с ценой аналогичных компонентов в неизолированных корпусах
  • Монтаж без вводных изоляторов и фольги
  • Импульсные источники питания (SMPS), корректоры коэффициента мощности (PFC), работающие в режиме непрерывных токов (CCM)
  • ЖК-дисплеи и плазменные панели
  • Системы освещения
  • Источники бесперебойного питания, солнечные электростанции
  • Приводы двигателей
Image

Дополнительно

Подробнее о продукции

Скачать

Номера для заказа

  • www.infineon.com/SiC

Share |

Силовые приборы

Карбид-кремниевые диоды Шоттки 3G thinQ!™ обеспечивают более высокую эффективность при доступной цене

Карбид кремния (SiC) — это идеальный материал для силовых полупроводниковых приборов. Приборы на его основе явно превосходят по быстрод ...