Силовые приборы
Карбид-кремниевые диоды Шоттки 2G thinQ!™ — теперь в корпусе TO-220 FullPAK
Сравнение теплового сопротивления стандартных компонентов Infineon в корпусе TO-220, Infineon в корпусе TO-220 FullPAK и конкурирующей продукции в корпусе FullPAK
Карбид кремния (SiC) — это идеальный материал для силовых полупроводниковых приборов. Приборы на его основе явно превосходят по быстродействию приборы из Si и GaN. Особенно начиная с диапазона 600В, они демонстрируют эталонные коммутационные характеристики (практически без потерь) и отличную проводимость. Эти свойства позволяют достичь нового уровня эффективности и упростить схемотехнику импульсных источников питания.
Кроме того, с ростом диаметра пластин SiC эта, ещё недавно экзотическая и дорогая технология становится всё более доступной.
Наше новое решение в корпусе FullPAK сочетает в себе отличные электрические характеристики карбид-кремниевых диодов Шоттки второго поколения (2G) компании Infineon с преимуществами полностью изолированного корпуса, причём без существенного ухудшения тепловых характеристик, присущего стандартным решениям в корпусе TO-220. Патентованная технология диффузной пайки обеспечивает заметное снижение теплового сопротивления кристалл—выводная рамка и позволяет позиционировать компоненты Infineon FullPAK как лучшие по характеристикам в своём классе.
Кроме того, компания Infineon предлагает наиболее широкий в отрасли ассортимент компонентов в данном корпусе с номинальным током до 6А. На рисунке показаны компоненты Infineon с одинаковым (номинал 2 и 3А) или немного более высоким (для других номинальных токов) тепловым сопротивлением кристалл—корпус. Небольшое различие в основном компенсируется при окончательной сборке с изолирующей фольгой для компонентов в стандартном корпусе TO-220. Благодаря патентованной технологии диффузионной пайки эти 2G thinQ!™ компоненты имеют явное преимущество перед конкурирующей продукцией (с номинальным током лишь до 3А).
| Особенности | Применение |
|
|

Дополнительно
Силовые приборы
Карбид-кремниевые диоды Шоттки 3G thinQ!™ обеспечивают более высокую эффективность при доступной цене
Карбид кремния (SiC) — это идеальный материал для силовых полупроводниковых приборов. Приборы на его основе явно превосходят по быстрод ...









подробнее






