Отправить страницу  |   Печать страницы  |   Выберите язык  |   Регистрация на подписку  |  
 Поиск

Выберите язык

English German French Italian Russian Chinese Japanese Korean

Беспроводная связь

Новые LDMOS-транзисторы мощностью от 240 до 340Вт для усилителей Догерти

Image Транзисторы большой мощности от 240 до 340Вт Image

Компания Infineon представила новое семейство, включающее пять усовершенствованных мощных транзисторов для использования в усилителях Догерти. В него вошли транзисторы с выходной мощностью от 150 до 340Вт (P1дБ) для диапазонов 1800, 1900 и 2100МГц. Они изготавливаются по новейшей технологии LDMOS компании Infineon и обеспечивают более высокий коэффициент усиления, более высокую пиковую мощность, имеют более компактный корпус (более высокая плотность мощности) и улучшенные рабочие характеристики в усилителях Догерти. Эти транзисторы, поставляемые в полых керамических корпусах (open-cavity), отличаются высокой надежностью и стабильностью характеристик.

Выпускаемые компоненты:
PTFB 182503EL V1 — 240Вт, 1805…1880МГц, корпус с ушками на фланце
PTFB 182503FL V1 — 240Вт, 1805…1880МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 192503EL V1 — 240Вт, 1930…1990МГц, корпус с ушками на фланце
PTFB 192503FL V1 — 240Вт, 1930…1990МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 212503EL V1 — 240Вт, 2110…2170МГц, корпус с ушками на фланце
PTFB 212503FL V1 — 240Вт, 2110…2170МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 213004F V1 — 300Вт, 2110…2170МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 183404F V1 — 340Вт, 1805…1880МГц, корпус без ушек на фланце

Типичные рабочие характеристики:
PTFB 212503EL/FL V1
Типичный режим — WCDMA с одной несущей
- Рабочие характеристики (2170МГц, 30В, сигнал 3GPP, полоса пропускания канала 3.84МГц, PAR = 7.5дБ при 0.01% CCDF) 
- средняя выходная мощность = 85Вт,
- коэффициент усиления = 18дБ,
- КПД = 37%,
- IMD = –33дБн

PTFB 213004F V1
Типичный режим — WCDMA с двумя несущими
- Рабочие характеристики (2170МГц, 30В, сигнал 3GPP, полоса пропускания канала = 3.84МГц, PAR = 8дБ при 0.01% CCDF)
- средняя выходная мощность = 65Вт,
- коэффициент усиления = 18дБ,
- КПД = 27%,
- IMD = –35дБн

Особенности Применение
  • Широкополосное согласование по входу/выходу
  • Высокий коэффициент усиления
  • Широкая полоса пропускания видеосигнала
  • Предназначены для использования в архитектурах усилителей Догерти
  • Усовершенствованы для использования в системах предварительной цифровой коррекции ошибок
  • Низкое тепловое сопротивление
  • Встроенная ESD-защита
  • Не содержат свинца, отвечают требованиям директивы RoHS
  • Имеются референсные схемы
  • ВЧ усилители мощности для сотовой связи
  • ВЧ усилители мощности для других систем связи
Image

Дополнительно

Подробнее о продукции

Скачать

Номера для заказа

  • PTFB182503FL V1 SP000662896
  • PTFB213004F V1 SP000738766
  • PTFB1830404F V1 SP000753722
  • PTFB192503EL V1 SP000667604
  • PTFB192503FL V1 SP000667608
  • PTFB212503EL V1 SP000662898
  • PTFB212503FL V1 SP000662900

Share |

Беспроводная связь

Новое семейство мощных LDMOS ВЧ усилителей

Компания Infineon расширила свой ассортимент мощных ВЧ компонентов за счет семейства двухкаскадных ВЧ усилителей, предназначенных для работы ...

Беспроводная связь

Новые 4-Вт, 8-Вт и 18-Вт несогласованные мощные ВЧ LDMOS-транзисто

Компания Infineon представила три новых несогласованных мощных ВЧ LDMOS-транзистора. Они предназначены для ВЧ усилителей мощности, работающих ...