Беспроводная связь
Новые LDMOS-транзисторы мощностью от 240 до 340Вт для усилителей Догерти
Транзисторы большой мощности от 240 до 340Вт
Компания Infineon представила новое семейство, включающее пять усовершенствованных мощных транзисторов для использования в усилителях Догерти. В него вошли транзисторы с выходной мощностью от 150 до 340Вт (P1дБ) для диапазонов 1800, 1900 и 2100МГц. Они изготавливаются по новейшей технологии LDMOS компании Infineon и обеспечивают более высокий коэффициент усиления, более высокую пиковую мощность, имеют более компактный корпус (более высокая плотность мощности) и улучшенные рабочие характеристики в усилителях Догерти. Эти транзисторы, поставляемые в полых керамических корпусах (open-cavity), отличаются высокой надежностью и стабильностью характеристик.
Выпускаемые компоненты:
PTFB 182503EL V1 — 240Вт, 1805…1880МГц, корпус с ушками на фланце
PTFB 182503FL V1 — 240Вт, 1805…1880МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 192503EL V1 — 240Вт, 1930…1990МГц, корпус с ушками на фланце
PTFB 192503FL V1 — 240Вт, 1930…1990МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 212503EL V1 — 240Вт, 2110…2170МГц, корпус с ушками на фланце
PTFB 212503FL V1 — 240Вт, 2110…2170МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 213004F V1 — 300Вт, 2110…2170МГц, корпус без ушек на фланце
PTFB 183404F V1 — 340Вт, 1805…1880МГц, корпус без ушек на фланце
Типичные рабочие характеристики:
PTFB 212503EL/FL V1
Типичный режим — WCDMA с одной несущей
- Рабочие характеристики (2170МГц, 30В, сигнал 3GPP, полоса пропускания канала 3.84МГц, PAR = 7.5дБ при 0.01% CCDF)
- средняя выходная мощность = 85Вт,
- коэффициент усиления = 18дБ,
- КПД = 37%,
- IMD = –33дБн
PTFB 213004F V1
Типичный режим — WCDMA с двумя несущими
- Рабочие характеристики (2170МГц, 30В, сигнал 3GPP, полоса пропускания канала = 3.84МГц, PAR = 8дБ при 0.01% CCDF)
- средняя выходная мощность = 65Вт,
- коэффициент усиления = 18дБ,
- КПД = 27%,
- IMD = –35дБн
| Особенности | Применение |
|
|

Дополнительно
Подробнее о продукции
Скачать
Номера для заказа
- PTFB182503FL V1 SP000662896
- PTFB213004F V1 SP000738766
- PTFB1830404F V1 SP000753722
- PTFB192503EL V1 SP000667604
- PTFB192503FL V1 SP000667608
- PTFB212503EL V1 SP000662898
- PTFB212503FL V1 SP000662900
Беспроводная связь
Новое семейство мощных LDMOS ВЧ усилителей
Компания Infineon расширила свой ассортимент мощных ВЧ компонентов за счет семейства двухкаскадных ВЧ усилителей, предназначенных для работы ...
Беспроводная связь
Новые 4-Вт, 8-Вт и 18-Вт несогласованные мощные ВЧ LDMOS-транзисто
Компания Infineon представила три новых несогласованных мощных ВЧ LDMOS-транзистора. Они предназначены для ВЧ усилителей мощности, работающих ...









подробнее






