パワー半導体

「EiceDRIVER™」 - 電気自動車および低電圧駆動装置向けの、200Vの3相ゲートドライバIC

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「EiceDRIVER™ 6ED003L02-F」は、最大200Vの阻止電圧の3相システムでIGBTやMOSFETなどのパワーデバイスを制御するための、3相ゲートドライバICです。このデバイスは、SOI（Silicon-On-Insulator）テクノロジーを採用しており、負の過渡電圧に対して非常に高い抵抗性を誇ります。 標準的なモノリシック高電圧ICテクノロジーとは異なり、インフィニオンのSOI薄膜テクノロジーには寄生サイリスタ構造がありません。その結果、極端な温度条件や電圧状況下で、卓越したラッチアップ耐量を誇ります。

SOIテクノロジーの採用により、最大-50Vの負の過渡信号への耐性を実現 CMOS/LSTTL互換入力（反転ロジック） クロスコンダクション防止機能 過電流保護機能 低電圧ロックアウト 異常時には、すべてのスイッチをシャットダウン 過電流検出後のプログラマブル起動 RoHS準拠のTSSOP-28パッケージ

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