パワー半導体
「OptiMOS™」200V/250V、最高の効率を実現する、完璧な選択肢
RDS(on)そしてFOMgでの「OptiMOS™」200V/250Vのベンチマーク
インフィニオンは新製品の「OptiMOS™」200V/250Vデバイスにより、電力変換MOSFETのポートフォリオを拡大しました。 「OptiMOS™」200V/250Vデバイスは、48V電源の同期整流回路で95%を超える効率レベルを実現します。これは現在の標準的な値からは2%高く、電力損失を30%抑えることができます。このテクノロジーは、今までのFETと比較して、オン抵抗(RDs(on))を半分に、ゲート電荷(Qg)を最大35%抑えました。さらに、本ファミリでは、デバイスの並列接続数を減らすともに、RDs(on)が低いことでヒートシンクの小型化が実現し、スイッチング動作の最適化によって設計プロセスの迅速化・簡素化が図られることから、システムコストを抑えることが可能です。 「OptiMOS™」200V/250Vファミリでは、その卓越した特性により、これまでの大きなD²PAKパッケージ(9mm×10mm×4.5mm)を、スリムなSuperSO8パッケージ(5mm×6mm×1mm)に置き換えることができます。これにより、基板の実装面積が90%以上削減され、より電力密度の高いシステムが実現します。さらに、SuperSO8のようなリードレス・パッケージを使用することで、理想的なスイッチング動作と高効率が実現します。
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OptiMOS™ 3 200V and 250V - Setting New Benchmarks
The new OptiMOS™ 3 200V and 250V devices are new additions to Infineon's family of OptiMOS™3 low-voltage products at the upper en ...









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