汽车功率半导体
全新的功率HITFET™ BTS 3256
框图
我们全新的功率HITFET™ 是业界最先进的具备保护功能的低边开关。BTS 3256采用结实耐用的设计,包括由功率和计时器控制的电流限制和浪涌负载驱动功能。
BTS 3256还具备易于调节的转换速度,可确保在开关损耗和EMC要求之间实现最佳平衡。该器件具备一个10mΩ功率MOSFET和一个逻辑控制芯片(采用芯片堆叠技术设计)。它的管脚和PCB与BTS 3160D的管脚和PCB兼容,可作为BTS 3160D重启版本使用,或者用作驱动电磁阀的更快速的开关解决方案。
与BTS 3160D一样,它采用 DPAK 5管脚封装,具备很高的通态电阻与占板空间比率。
除具备通用的HITFET™ 特性外,BTS 3256还具备功率HITFET™ 特性集。亮点包括输入管脚的数字状态反馈和最佳的通态电阻(由于具备电池供电管脚)。
| 主要特性 | 应用 |
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