功率半导体
全新1200V IGBT High Speed3系列突破不同拓扑的开关速度限制
图表文字：性能权衡图
全新1200V IGBT High Speed3系列的开发是专门针对优化高频电源硬开关和软开关拓扑的需要。 由于功率密度和电源效率是这两种拓扑的关键参数，因此IGBT优化就成为了实现这些目标的关键要素。IGBT是开关频率在20 kHz以上应用的理想选择。在这样的开关频率条件下，导通损耗微不足道，极低的尾电流可大幅优化开关损耗。 拥有卓越耐用性的第四代射极控制二极管与快速开关IGBT的结合使用，可进一步优化二极管性能，平衡开关损耗和导通损耗。 全新的1200V IGBT系列针对高频太阳能、UPS和焊接应用进行了优化，可提供行业基准性能和出类拔萃的功率密度。
| 主要特性 | 应用 |
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功率半导体
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