功率半导体
采用SuperSO8封装的OptiMOS™
对于SMPS系统的同步整流器、电机驱动和直流/直流转换器等应用而言，高功率密度和高能效是推动其发展的主要因素。从TO-220转向SuperSO8，可大幅降低所需的占板空间，大大提高功率密度。SuperSO8的寄生电感是TO-220的三分之一，可确保直流/直流转换器和电机驱动获得最佳的开关性能和最高的能效。较低的寄生电感还可降低系统的尖峰电压，最大限度减少设计工作量。降低的开关噪声和改进的电磁干扰性能确保SuperSO8成为SMPS和其他工业应用的理想之选。
每个器件的电流高达100A，因此，SuperSO8是电机驱动等大电流应用的理 ...
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全新的OptiMOS™ 25V/30V系列
我们全新的OptiMOS™ 25V / 30V产品系列可使功率应用的交叉效率提高93％以上。
这些全新的OptiMOS™器件采用最小的封装（例如CanPAK™1 和 S3O8），具备超低的栅电荷、输出电荷和最低的通态电阻。它们可减少多相转换器的相数，从而降低总体系统成本。在不同负载条件下，它们都可降低功耗，并提高能效。此外，它们还可最大限度降低系统的电磁干扰，确保无需使用外置缓冲网络。
这些特性使OptiMOS™ 25V / 30V成为要求苛刻的服务器、数据通信和电信产品的稳压解决方案的理想之选。
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采用TO-220 FullPAK封装的2G thinQ!™ 碳化硅肖特基二极管现已面世
碳化硅（SiC）是适用于功率电子产品的理想半导体材料，明显优于硅和GaN功率器件。尤其当电压超过600V时，它具备最佳开关特性（几乎无损）和卓越的传导性能。这些特性可确保SMPS解决方案具备一流的能效并降低方案的复杂度。
此外，由于SiC器件晶圆直径的增大，这种以往异乎寻常的昂贵技术逐渐变得越来越经济。
我们全新的FullPAK解决方案将英飞凌第二代（2G）SiC肖特基二极管的出色电气性能与完全绝缘的封装的优势结合在一起。该封装相对于标准的TO-220解决方案，不会对热性能造成重大影响。
荣获专利的扩散焊接技术可明显降低“芯片至引线框”的热阻，使英飞凌FullPAK器件在同类产品中具备最出色的性能。 此外，英飞凌还提供采用该封装、额定电流高达6A 的业界最广泛的产品。该图表显示，英飞凌提供的2A和3 ...
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用于电磁灶具并具有最高性能、效率和可靠性的栅极驱动IC与IGBT
作为IGBT行业领导者，英飞凌面向电磁灶具等谐振开关应用，推出全面的高性能600V分立式IGBT产品组合。该产品组合经过精心开发，在开关和传导损耗方面，树立了新的行业标杆，可确保出类拔萃的效率和快速上市。HighSpeed3系列不久前增加的IHW 40N60RF可满足高速开关拓扑对优化的开关损耗的需求。这些器件在整个温度范围内，具备出色的性能，相对于竞争手对的器件，开关损耗的降幅高达20％。
与英飞凌最新的半桥驱动器2ED020I06-FI结合应用，我们可提供具备高成本效益的可靠解决方案，用于驱动击穿电压高达600V的IGBT和MOSFET功率级。该IC作为EiceDRI ...
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EiceDRIVER™ ——适用于电动交通和低压驱动的200V三相栅极驱动IC
EiceDRIVER™ 6ED003L02-F是一款三相栅极驱动IC，可控制阻断电压高达200V的三相系统的IGBT或MOSFET等功率器件。该器件基于绝缘体硅片（SOI）技术，可承受很高的瞬变负电压。相对于标准的单片高压IC技术，英飞凌的SOI薄膜技术没有寄生晶闸管结构。这使其在极端温度和电压条件下，具备出类拔萃的抗擎住性能。
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Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen
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能效出众、经济高效的感应加热应用IGBT
作为IGBT市场领导者，英飞凌面向各种感应加热应用提供全面、高性能产品系列组合。英飞凌最新TRENCHSTOP™ IGBT可提供适用于您应用的最高系统效率水平以及最出色的性价比。
英飞凌TRENCHSTOP™ IGBT可使散热片尺寸和PCB面积分别缩小50%和25%。这是因为一流的能效水平可使开关损耗和导通损耗降幅高达20%。
较低的功耗有助于实现高效的热管理，降低设计难度，缩短产品上市时间。
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3G thinQ!™碳化硅肖特基二极管改善能效，降低成本
碳化硅（SiC）是适用于功率电子应用的理想半导体材料，性能明显超过Si和GaN功率器件。尤其在600V以上范围内，它具备基准式开关性能（几乎无损耗）和出类拔萃的导电性能。这些属性使它达到了基准式能效，同时降低了SMPS解决方案的复杂性。此外，由于SiC器件所需尺寸的晶片日益增多，这项在以往看来非常奇特、昂贵的技术也逐渐变得经济实惠起来。
英飞凌刚刚发布其第三代（3G）SiC肖特基二极管。对于任何给定的电流额定值而言，3G thinQ!™ 系列都具备业界最低的器件电容。这进一步改善了整个系统能效，尤其在较高开关频率和低负载条件下。优势包括提高设计的频率和解决方案的功率密度。此外，降低的冷却要求推动系统成本进一步降低。
另外，英飞凌提供了业界最齐全的SiC肖特基二极管产品组合，不仅包括TO-220封装（真 ...
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600V CoolMOS™ C6 功率MOSFET——来自市场领导者的物美价廉的功率器件
CoolMOS™ C6是英飞凌根据革命性的超结（SJ）原理设计的第6代高压功率MOSFET。全新CoolMOS™ C6系列将我们作为领先SJ MOSFET供应商的丰富经验与一流的创新技术进行了有机结合。C6器件具备快速转换SJ MOSFET的所有优势，同时保持出色的易用性。
CoolMOS™ C6具备极低的导通损耗和开关损耗，可使开关应用具备更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和更好的冷却效果。此外，它还具备当今市场上最佳的性价比。
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全新OptiMOS™ 3 100V - 150V产品降低40%的导通电阻，同时实现出色的开关性能
英飞凌的低压MOSFET OptiMOS™ 3系列可在广泛的应用中实现基准式性能。超越标准的150V技术，OptiMOS™ 3 120V是需要100V以上MOSFET但不需要150V MOSFET的应用的理想选择。在6毫欧的条件下，100V器件是理想产品，在19毫欧的条件下，150V器件是理想产品。该产品系列具备业界最低的导通电阻和最快的开关性能。相对于其他竞争产品，这些器件可使导通电阻降幅达到50％，提供高达180A的电流。这些器件可确保顺利由含铅封装过渡到小型、高效的SMD封装。它们可采用TO-220等各种标准封装。它们还可采用CanPAK™、S3O8、 SuperSO8和D2PAK等高性能封装，在能效和功率密度方面实现突破。
OptiMOS™ 3 ...
