无线通信

全新LDMOS射频功率晶体管：面向800MHz和900MH应用，输出功率高达360W

英飞凌扩展了其LDMOS射频晶体管系列产品阵容，推出了三款新产品，瞄准适用于LTE、WCDMA和CDMA应用的Doherty放大器。全新功率晶体管具有非凡的效率、高峰值功率和宽视频带宽。
它们的P1dB输出功率分别为150W、270W和360W，并采用了英飞凌创新的智能分立式封装以实现高度紧凑型设计。

部件编号：
PTFB093608FV V1 – 360W (P1dB@28V)
PTFB082817FH V1 – 270W (P1dB@28V)
PTFB0915 ...

无与伦比的全新4W、8W和12W LDMOS射频功率晶体管具备700MHz 至 2200MHz的宽带性能

英飞凌推出三款无与伦比的全新LDMOS 射频功率晶体管。这些晶体管主要面向工作频段为700 MHz至2200MHz的射频功率放大器。这三款晶体管的输出功率分别为（P1dB）4W、8W和12W，都具备出色的热性能和较高的增益与能效。它们采用符合RoHS标准的10管脚SON塑料封装，适用于蜂窝、工业、卫星和非蜂窝系统的射频功率放大器应用。

部件编号：
PTFA 220041M V4 - 4W
PTFA 220081M V4 - 8W
PTFA 220121M V4 - 12W

典型的双音特性
PTMA 220041M、1840 MHz、28 V
- 输出功率：4W PEP
- 增益：19dB
- 能效：37.5dB
- IM：-29dBc

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无线通信

适用于多尔蒂放大器的全新240W至 340W LDMOS晶体管

英飞凌推出一个包含5个新功率晶体管的系列。这些晶体管经过改进，适用于多尔蒂放大器。该系列晶体管的额定输出功率（P1dB）为150W 至340W，频率为1800MHz、1900MHz和2100MHz。它们采用英飞凌最新的LDMOS工艺技术制造，具备较高的增益和峰值功率以及较小的封装（更高的功率密度），可改进多尔蒂放大器的性能。这些晶体管采用开放腔封装，具备出色的可靠性和一致性。

提供的产品：
PTFB 182503EL V1 - 240W、1805-1880MHz、有耳法兰封装
PTFB 182503FL V1 - 240W、1805-1880MHz、无耳法兰封装

PTFB 192503EL V1 - 240W、1930-1990MHz、有耳法兰封装
PTFB 192503FL V1 - 240W、1930-1 ...

全新LDMOS射频功率放大器系列

英飞凌通过推出适用于当今多模、多载波蜂窝功率放大器的两级射频功率放大器系列，扩大了其射频功率产品阵容。这些全新的产品也是适用于非蜂窝通信设备的理想产品。这些LDMOS功率放大器采用陶瓷开放腔封装和超模压塑料封装技术，具备高增益、平坦的相位响应和出色的能效。这些放大器的工作频率范围为700 MHz至2100MHz，功率范围为15W至45W（P-1dB）。其他特性包括：集成的ESD保护功能和与集成直流部件的片上匹配功能。目前提供产品样品和参考设计。

Press Releases

Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen