功率半导体

用于电磁灶具并具有最高性能、效率和可靠性的栅极驱动IC与IGBT

框图

作为IGBT行业领导者，英飞凌面向电磁灶具等谐振开关应用，推出全面的高性能600V分立式IGBT产品组合。该产品组合经过精心开发，在开关和传导损耗方面，树立了新的行业标杆，可确保出类拔萃的效率和快速上市。HighSpeed3系列不久前增加的IHW 40N60RF可满足高速开关拓扑对优化的开关损耗的需求。这些器件在整个温度范围内，具备出色的性能，相对于竞争手对的器件，开关损耗的降幅高达20％。

与英飞凌最新的半桥驱动器2ED020I06-FI结合应用，我们可提供具备高成本效益的可靠解决方案，用于驱动击穿电压高达600V的IGBT和MOSFET功率级。该IC作为EiceDRIVER™ 系列的器件之一，基于无磁芯变压器技术。这种技术将电感信号传输与隔离的优势与紧凑的IC驱动级设计有机结合在一起。与光电耦合器不同，这些IC可消除随着时间所产生的衰变。它们可承受极高的负瞬变电压，开关速度高于单片驱动IC，具备高效率和长使用寿命。

特性（IGBT） 具备优化的Vce(sat) 和 Eoff 值的全面IGBT产品组合 电流软关断波形 特性（栅极驱动） 浮动高边通道 栅极驱动电流+1A / -2A 具备pull-up功能的专用关断输入端 3.3V和5V TTL兼容输入端

电磁炉 电饭煲 微波炉 其他软开关应用