パワー半導体

第2世代「thinQ!™」シリコンカーバイド・ショットキー・ダイオード、TO-220 FullPAKで提供開始

標準的なインフィニオンの「TO220」、インフィニオンの「TO220 FullPAK」、競合他社のFullPAK製品の熱抵抗の比較

シリコンカーバイド（SiC）は、パワーエレクトロニクス・アプリケーションに最適な半導体素材であり、SiとGaNのパワーデバイスを圧倒します。600V以上の範囲にとりわけ適しており、ベンチマークとなるスイッチング動作（ほぼロスレス）を実現し、最高の伝導性能を発揮します。こうした特性により、SMPSソリューションでは、クラス最高の効率性が実現し、複雑性が軽減されます。

さらに、SiCデバイスのウェハの直径が拡大するのに伴い、これまで風変わり見られてきた高コストな技術は、はるかに魅力的な価格となります。

当社の最新FullPAKソリューションは、インフィニオンの第2世代（2G）SiCショットキー・ダイオードの高い電気性能と、完全絶縁型パッケージのメリットを兼ね備えており、標準的なTO-220ソリューションとの比較では、熱挙動に大きな影響を及ぼすことがありません。この特許取得済みの拡散はんだ付け法を使用することで、「チップからリードフレーム」の熱抵抗を明確に削減することができ、インフィニオンのFullPAK製品は、クラス最高のパフォーマンスを実現しています。

さらに、インフィニオンは、最大6Aの定格電流のこのパッケージで、業界最大のポートフォリオを提供しています。グラフによると、インフィニオン製品のジャンクションとケース間の熱抵抗は、2Aと3Aで同じ値、他の定格電流では若干高い値となっています。このわずかな差は一般的に、最終的な設計の組み立て時に標準的なTO-220パッケージ向けの絶縁フォイルを使用することで補われます。当社の特許取得済みの拡散はんだ付け法により、こうした2Gの「thinQ!™」製品は、競合製品（最大3Aの製品のみを提供）を明確にリードしています。

インフィニオンの拡散はんだ付け法により、非絶縁型パッケージに匹敵する熱挙動が実現 FullPAKソリューションで最高の熱性能を実現 非絶縁型パッケージと同等の価格 絶縁ブッシングや絶縁フォイルなしにマウント可能

SMPS、例：CCM PFCステージ LCD、PDP 照明システム UPSシステム、太陽光アプリケーション モータ駆動装置