汽车功率半导体
英飞凌推出最新的40 V 车用MOSFET产品系列
图表文字：三相电机控制
作为汽车电源管理技术的全球领袖，我们将自己丰富的专业知识融入最新推出的单N沟道 40 V 汽车功率MOSFET中，这些功率MOSFET采用先进的沟槽技术。全新的OptiMOS™-T2 40 V系列采用牢固的绿色封装，具备出类拔萃的通态电阻RDS(on)和最高的电流额定值，适用于汽车电机与负载控制应用。 我们所有面向汽车应用的器件都采用这种牢固的绿色封装，具备最高的质量和可靠性。这些器件经过专门设计，可确保组件和电路板能够承受更高的无铅焊接温度所导致的应力。为避免过应力现象，例如模制化合物与金属触点分层，所有OptiMOS™-T2 40 V器件都支持高达260°C的峰值回流温度，并全面与现有的含铅焊接工艺后向兼容。这些器件完全满足汽车AEC标准和潮湿敏感度1级（MSL1）的相关要求。OptiMOS™-T2 40 V 采用各种标准功率封装，包括TO-220、D2PAK、 TO-262和具备7个管脚的D2PAK。 依靠我们先进的沟槽技术，OptiMOS™-T2 40V为下一代汽车应用树立了新标杆。它将二氧化碳排放量和电机能效提高到新水平，同时最大限度减少EMC辐射，尤其在与脉宽调制控制装置结合使用时。
| 主要特性 | 应用 |
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