汽车功率半导体
英飞凌推出采用最新OptiMOS™-P2技术的全新单P沟道40V MOSFET
适用于电机桥的OptiMOS™-T2 P沟道 40V MOSFET
作为汽车电源管理技术行业领袖，英飞凌刚刚推出采用先进沟道技术的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET。
OptiMOS™-P2 40V器件为下一代汽车应用树立了行业新标杆，在能效、碳放排和电气化方面设置了行业基准。它们是所有类型EPS电机控制装置、三相和H桥电机、暖通空调风扇控制装置和电动泵等的理想之选——尤其是与PWM控制装置结合使用。
电气特性：
-在10V下的最低通态电阻: 2.4mΩ （D²PAK） 和 4.3mΩ （DPAK）
-高达90A电流的DPAK封装或180A电流的D²PAK封装
-MSL1、高达175°C、采用结实封装
-符合AEC汽车行业标准
所有OptiMOS™-P2 40V器件都完全符合AEC标准和一级潮湿敏感度（MSL1）要求。OptiMOS™-P2 40V采用所有标准的功率封装，包括TO-220、D²PAK、TO-262和7引脚D²PAK封装。
- 高边驱动无需电荷泵
- 简易的接口驱动电路
- 业界最低的通态电阻（40V）
- 最高电流功能
- 最低的开关和导通功耗确保最高的热能效
- 结实耐用的封装具备出色的质量和可靠性
- 标准封装TO-252、TO-263、O-220、TO-262
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