汽车功率半导体
适用于汽车应用的全新双N沟道OptiMOS™-T2 40V 和60V MOSFET
Dual SS08封装
不久前推出的采用SuperS08封装的OptiMOS™-T2 40V 和 60V MOSFET双通道器件，相对于采用DPAK封装的器件具备更小的占板空间，同时保持20A的额定电流。
这些器件采用键合引线代替线夹，降低分层风险，提高可靠性和削减成本。最重要的优势是利用一个Dual SuperS08代替两个DPAK。这可缩小器件的占板空间（由130mm² 降至32mm²），确保设计出更加紧凑的系统解决方案。结实耐用的封装和汽车级的卓越性能可确保您从英飞凌获得理想的品质和可靠性。
电气特性：
-最低的通态电阻（40V）——在10V条件下，器件每个通道的电阻为7mΩ，并具备高达20A的标称电流
-最低的通态电阻（60V）——在10V条件下，器件每个通道的电阻为11mΩ，并具备高达20A的标称电流
-键合线长200µm，电流高达20A
-更大的源极引线框连接适用于引线键合
-封装：PG-TDSON-8-4
-所有器件均符合汽车相关标准（AEC-Q101）
| 主要特性 | 应用 |
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产品详情
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- Data Sheet IPG 20N04S4-08 (PDF)
- Data Sheet IPG 20N04S4-09 (PDF)
- Data Sheet IPG 20N04S4-12 (PDF)
- Data Sheet IPG 20N04S4L-08 (PDF)
- Data Sheet IPG 20N04S4L-11 (PDF)
订购编号
- IPG 20N04S4-08: SP000705582
- IPG 20N04S4-09: SP000705570
- IPG 20N04S4-12: SP000705560
- IPG 20N04S4L-07: SP000705484
- IPG 20N04S4L-11: SP000705564
- IPG 20N06S4-15: SP000705490
- IPG 20N06S4L-11: SP000705550
- IPG 20N06S4L-14: SP000705540
- IPG 20N06S4L-26: SP000705588
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