功率半导体

采用TO-220 FullPAK封装的2G thinQ!™ 碳化硅肖特基二极管现已面世

英飞凌TO220、TO220 FullPAK器件和竞争对手的FullPAK器件的热阻对比

碳化硅（SiC）是适用于功率电子产品的理想半导体材料，明显优于硅和GaN功率器件。尤其当电压超过600V时，它具备最佳开关特性（几乎无损）和卓越的传导性能。这些特性可确保SMPS解决方案具备一流的能效并降低方案的复杂度。

此外，由于SiC器件晶圆直径的增大，这种以往异乎寻常的昂贵技术逐渐变得越来越经济。

我们全新的FullPAK解决方案将英飞凌第二代（2G）SiC肖特基二极管的出色电气性能与完全绝缘的封装的优势结合在一起。该封装相对于标准的TO-220解决方案，不会对热性能造成重大影响。

荣获专利的扩散焊接技术可明显降低“芯片至引线框”的热阻，使英飞凌FullPAK器件在同类产品中具备最出色的性能。 此外，英飞凌还提供采用该封装、额定电流高达6A 的业界最广泛的产品。该图表显示，英飞凌提供的2A和3A器件具备相同的热阻，具备其他额定电流的器件的热阻值略高一些。在最后的设计组装阶段，在标准的TO-220封装内安装一个隔离片，通常可补偿这种细微的差别。我们荣获专利的扩散焊接技术使这些2G thinQ!™ 器件在竞争中获得了明显的领先优势（竞争对手只提供高达3A的器件）。

得益于采用英飞凌扩散焊接技术，热性能与非绝缘封装的热性能不相上下 具有最佳热性能的绝缘解决方案 价格与非绝缘封装的价格相当 装配未采用绝缘衬套或薄片

SMPS，如 CCM PFC级 LCD、PDP 照明系统 UPS系统、太阳能系统 电机驱动