功率半导体

集成快速体二极管的650V CoolMOS™ CFD2

CFD与CFD2的能效之比（采用ZVS FB @ 100kHz拓扑的12V服务器SMPS）

英飞凌推出其引领市场的第二代集成快速二极管的650V CoolMOS™ MOSFET，命名為CFD2。这是业界首种集成快速体二极管的650V 高壓 MOS技术。CFD2具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时还拥有易用特点。这种全新的650V CoolMOS™ CFD2超越了600V CFD，在性能方面树立了行业新标杆。更软的换流行为和由此带来的增强的抗电磁干扰性能使该器件相对于竞争对手产品具备明显优势。由于具备大幅降低的价格（相对于基于C3的CFD技术）和改进的轻载能效（因为栅极电荷降低），该产品是谐振开关应用的最优之选。

硬换流过程中的有限电压过冲-自我限制di/dt 和 dv/dt 相对于基于C3的CFD技术，栅极电荷大幅降低 更窄的最大通态电阻至典型通态电阻窗口 在体二极管重复换流过程中，低反向恢复电荷带来低开关损耗 低Qoss 导通和关断延迟时间缩短 易于设计

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