汽车功率半导体

面向汽车应用、具备全球最低通态电阻的N沟道OptiMOS™-T2 30 V MOSFET

功率MOSFET并行运行

IPB 180N03S4L-H0是一个N沟道单MOSFET。它采用D²PAK-7标准封装，具备0.9 mΩ的最低通态电阻。它符合汽车行业标准要求。

OptiMOS™-T2 经过设计，足以承受260°的回流，同时采用符合RoHS标准的无铅电镀。得益于其先进的沟道技术，英飞凌可提供具备低栅极电荷、低电容和低开关损耗的产品。这使电机效率达到全新水平，同时最大限度降低EMC辐射。

IPB 180N03S4L-H0可满足半桥、H桥和三相电机控制应用的要求。此外，它还适用于需要多个MOSFET并行运行的极高电流应用（超过500 A）。IPB 180N03S4L-H0具备180A的标称电流，可使并行的MOSFET的数量减少，从而优化电流共享和成本。

随着汽车电机转向PWM控制以提高效率，OptiMOS™-T2 30 V产品也可通过反向连接，提供电池反向保护。

出色的质量和牢固的封装确保您从英飞凌获得理想的性能。

采用D²PAK-7封装、具备0.9 mΩ的超低通态电阻 高达180 A的标称电流 优化的栅极电荷确保使用较小的驱动器输出级 出色的优值系数适用于开关应用 标准封装尺寸便于轻松升级电路 牢固的封装和符合RoHS标准

电池管理 能量回收 大电流电池反向保护 适用于大电流应用的电机控制装置