汽车功率半导体

面向汽车应用、采用Super SO8封装的全新双N沟道OptiMOS™ 55V MOSFET

适用于Dual Super S08的应用范例

英飞凌新近推出3款全新的双N沟道器件。该器件采用OptiMOS™ 55 V平面技术，可满足汽车应用日益增长的能量需求.

IPG 20N06S2L-35
IPG 20N06S2L-50
IPG 20N06S2L-65

双N沟道OptiMOS™ MOSFET相对于DPAK具备更小的外形尺寸，额定电流为20 A。这些产品采用铝金属键合代替多个线夹，降低分层风险，提高可靠性并降低成本。

最重要的优势是可用一个Dual Super S08代替2个DPAK。这可使产品的外形尺寸由130平方毫米降至32平方毫米，从而使系统解决方案的结构更加紧凑。

除Dual Super S08封装优势之外，OptiMOS™ 55 V平面技术可提供ABS阀、动力系控制电磁阀和其他电感负载等应用所需的出色的抗雪崩功能。

卓越的质量和牢固的封装可确保您从英飞凌获得理想的性能。

IPG 20N06S2L-35的每个沟道的电阻为35mΩ，具备高达20A的标称电流。 IPG 20N06S2L-50的每个沟道的电阻为50mΩ，具备高达20A的标称电流。 IPG 20N06S2L-65的每个沟道的电阻为65mΩ，具备高达20A的标称电流。 Dual Super S08可代替多个DPAK，从而大幅节省PCB空间，提高系统级成本效率。 与采用相同大小晶粒的DPAK具备同样的热电性能 所有产品都符合汽车行业标准（AEC-Q101）

直接燃油喷射系统 ABS阀 电磁阀控制装置 负载开关 LED和车身照明系统