パワー半導体

高速ボディ・ダイオードを集積した「650V CoolMOS™ CFD2」

ZVS FB @ 100kHzトポロジによる12VサーバSMPSでの、CFDとCFD2の効率性の比較

インフィニオンは、高速ボディ・ダイオードを集積した市場をリードする高電圧「CoolMOS™ MOSFET」技術の第2世代製品となる最新の「650V CoolMOS™ CFD2」を発売しました。これは、650 HV MOS技術に市販の高速ボディ・ダイオードを集積した初の製品です。CFD2ポートフォリオは、高速スイッチングSJ MOSFETのすべてのメリットを実現しつつ、優れた使い勝手を維持しています。新製品の「650V CoolMOS™ CFD2」は、「600V CFD」を継承しつつ、性能レベルを引き上げています。より滑らかな整流動作とこれに伴うEMI動作の向上により、本製品は、競合製品に対して明確な優位性を持ちます。C3ベースのCFD技術と比べて大幅な低価格化を実現しつつ、（ゲート電荷の削減により）軽負荷時の効率性にも優れており、共振型スイッチング・アプリケーションで最高の選択肢となります。

ハード整流時の電圧オーバーシュートがわずか - 自己制御式のdi/dtとdv/dt C3ベースのCFD技術と比べ、Qgを大幅に削減 オン抵抗（RDS(on)）の最大値と典型値の差が少ない ボディ・ダイオード上の反復的な整流時のQrrが低いことから、スイッチング損失が低い 低Qoss オン・オフ時の遅延時間を削減 デザインインが容易

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