무선 통신

800MHz 및 900 MHz에서 최대 360W의 출력 전력을 제공하는 신형 LDMOS RF 전력 트랜지스터

인피니언은 LTE, WCDMA, CDMA 등의 애플리케이션을 위한 도허티 증폭기를 겨냥한 3개의 신형 제품을 출시하여 자사의 LDMOS RF 전력 트랜지스터 제품군을 확장했다. 신형 전력 트랜지스터는 탁월한 효율, 높은 최고 전력, 넓은 비디오 대역폭 등을 제공한다.
이들 제품은 150W, 270W, 360W의 P1dB 출력 전력과 컴팩트한 설계를 위한 인피니언의 혁신적인 스마트 디스크리트 패키지를 특징으로 한다.

부품 번호:
PTFB093608FV V1 ...

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700MHz에서 2200MHz까지의 광대역 성능을 제공하는 신형 4W, 8W, 12W 언매칭 LDMOS RF 전력 트랜지스터

인피니언이 3개의 신형 언매칭 LDMOS RF 전력 트랜지스터를 출시했다. 이들 제품은 700MHz에서 2200MHz까지의 주파수 대역에서 동작하는 RF 전력 증폭기를 타깃으로 한다. 이들 트랜지스터들은 4W, 8W, 12W 출력 전력(P1dB) 버전으로 제공되며, 탁월한 온도 성능, 고이득, 고효율을 제공한다. 이들 제품은 RoHS-준수 10핀 SON 플라스틱 패키지로 제공되며, 이동통신, 산업, 위성, 비이동통신 시스템 등 폭넓은 어레이의 전력 증폭기 애플리케이션에 적합하다.

부품 번호:
PTFA 220041M V4 - 4W
PTFA 220081M V4 - 8W
PTFA 220121M V4 - 12W

일반적인 2-톤 특성
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도허티 증폭기를 위한 신형 240W에서 340W까지의 LDMOS 트랜지스터

인피니언이 도허티 증폭기(Doherty amplifier) 설계에서 사용할 수 있도록 강화되어 설계된 5개의 새로운 전력 트랜지스터 제품군을 출시했다. 이 신형 제품군은 150W에서 340W까지의 출력 전압 등급(P1dB)을 제공하면서 1800MHz, 1900MHz, 2100MHz 주파수 대역으로 제공되는 트랜지스터들로 구성되어 있다. 이들 제품들은 인피니언의 최신 LDMOS 공정 기술을 통해 생산되며 보다 높은 이득, 보다 높은 피크 전력, 보다 소형화된 패키지(향상된 전력 밀도), 그리고 도허티 증폭기에서 향상된 성능 등을 제공한다. 이들 트랜지스터는 공동 패키지로 제공되기 때문에 탁월한 신뢰성과 일관성을 제공한다.

공급 가능 제품:
PTFB 182503EL V1 - 240 ...

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신형 LDMOS RF 전력증폭기 제품군

인피니언은 최신 멀티-모드 멀티-캐리어 이동통신용 전력증폭기용으로 설계된 2단 RF 전력증폭기 제품군을 출시함으로써 자사의 RF 전력 제품 포트폴리오를 확대했다. 이들 신제품들은 또한 이동통신용이 아닌 통신 설계에도 이상적이다. 이들 LDMOS 전력증폭기 제품들은 높은 이득, 평탄-위상(flat-phase) 응답, 탁월한 효율 등을 특징으로 하며, 세라믹 공동(open-cavity) 및 오버몰드 플라스틱 패키지로 제공된다. 동작 주파수 범위는 700MHz에서 2100MHz까지이며, 전력 수준은 15W에서 45W이다(P_-1dB ...

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Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen