전력반도체

신형 1200V IGBT HighSpeed3 제픔군, 다양한 기술들에서 스위칭 속도 한계 극복

트레이드-오프 다이어그램

신형 1200V IGBT HighSpeed3 제픔군은 최적화된 전력 스위치를 필요로 하는 하드- 및 소프트-스위칭 토폴로지에서의 고주파수 동작을 위해 맞춤-개발되었다. 전력밀도와 효율이 두 토폴로지 모두에서 주요 파라미터이기 때문에 IGBT 최적화는 이러한 목표들을 달성할 수 있도록 해주는 결정적인 요소이다. IGBT는 20kHz 이상의 스위칭 속도를 제공하는 애플리케이션에서 완벽하게 최적화되었다. 이러한 속도에서 도전 손실은 그리 중요하지 않으며, 매우 낮은 테일 전류는 스위칭 손실을 대폭 최적화해 주는 이점을 제공한다. 탁월한 강건성을 제공하는 4세대 에미터 제어 다이오드는 고속-스위칭 IGBT와 결합하여 다이오드 성능을 한층 더 최적화하고 스위칭 손실과 도전 손실 사이에서 적절한 균형을 제공한다. 이 신형 1200V IGBT 제품군은 고주파수 태양열, USP, 용접 애플리케이션에 최적화되었으며, 벤치마크 성능과 최상의 전력밀도를 제공한다.

고주파수에서 낮은 스위칭 손실로 인한 낮은 전력 소산(30kHz 이상의 주파수에서), 낮은 도전 손실, 최고의 EMI 동작 콤팩트한 시스템 설계 및 작은 히트싱크 크기 무효전력이 전혀 필요하지 않은 경우에 최적화된 다이오드는 낮은 IGBT 전력 소산 특성을 제공한다. 부드러운 스위칭 동작

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