RF 및 보호 디바이스

양산 애플리케이션에서 ESD 및 서지 강건성을 증대시키는 신형 ESD5V0 다이오드 시리즈

블록 다이어그램

인피니언의 신형 TVS 보호 디바이스인 ESD5V0S1U-02V와 ESD5V0L1B-02V는 전자기기의 신뢰성을 대폭 향상시키고 정상적인 사용 시의 ESD와 과전류로 인한 심각한 현장 고장과 품질 보증 문제를 방지할 수 있도록 해준다.

다양한 애플리케이션을 위한 유연한 솔루션
ESD5V0S1U-02V와 ESD5V0L1B-02V는 양극 및 음극 스트라이크에 대한 보호 기능을 보장하여 다양한 애플리케이션 부문의 시스템 레벨 신뢰성을 향상시킨다. 이들 신형 다이오드는 최대 ±5V의 신호를 제공하는 데이터 및 전력 라인을 보호할 수 있도록 최적화되었으며, 양극 및 음극 스트라이크에 대한 보호 기능을 보장한다. 일반적인 동작 모드에서 매우 낮은 전력을 소모하기 때문에 배터리-전원 장비는 1nA 이하(일반적인 값, 3V 조건에서는 최대 50nA)의 극도로 낮은 역전류로부터 상당한 이점을 얻을 수 있다.

세라믹 기술 대비 공간 대폭 절감
ESD5V0S1U-02V와 ESD5V0L1B-02V는 1.2mm x 0.88mm x 0.55mm 크기의 단일-라인 리드 SC79(SOD 523) 패키지로 제공된다. 이들 디바이스들은 RoHS와 할로겐 관련 지침들을 준수한다. 컴팩트한 풋프린트로 인해 0603 배리스터를 이상적으로 대체할 수 있기 때문에 25%의 PCB 보드 공간을 절감할 수 있도록 해준다. 뿐만 아니라, 0603 배리스터의 패키지 높이를 20%에서 40%까지 낮춰준다.

공급시기
이들 디바이스들은 2011년 1월부터 양산 공급되고 있다. 애플리케이션 정보는 www.infineon.com/tvsdiodes 에서 AN248 “다양한 전자 인터페이스를 위해 최적화된 ESD 보호 기능(Tailored ESD Protection for Various Electronic Interfaces)”을 참조하라.

주요 특징

적용

가장 엄격한 IEC61000-4-2 산업 표준 이상의 높은 ESD 흡수 성능
- ESD5V0S1U-02V의 경우, 최대 ±20kV
- ESD5V0L1B-02V의 경우, 최대 ±25kV
IEC61000-4-4 (5/50ns)에 따른 EFT(Electro Fast Transient) 소산 특성
- 최대 50A(ESD5V0S1U-02V)
- 최대 40A(ESD5V0L1B-02V)
8/20µs 이상을 위한 IEC61000-4-5 표준에 따른 최대 5.5A(ESD5V0S1U-02V) 또는 2.5A(ESD5V0L1B-02V)의 서지 보호 성능
상대적으로 낮은 품질의 배리스터 옵션들과 달리 인피니언 다이오드는 다수의 스트라이크 발생 시에도 성능저하 효과가 나타나지 않음
멀티-레이어 배리스터보다 우수한 트리거 및 클램핑 전압을 통해 향상된 보호 기능 제공
초고속 응답 시간(1ns 이하)은 매우 낮고 안정된 클램핑 전압 제공