功率半导体
3G thinQ!™碳化硅肖特基二极管改善能效，降低成本
一个1000W输入电压范围CCM PFC应用的评估示例
碳化硅（SiC）是适用于功率电子应用的理想半导体材料，性能明显超过Si和GaN功率器件。尤其在600V以上范围内，它具备基准式开关性能（几乎无损耗）和出类拔萃的导电性能。这些属性使它达到了基准式能效，同时降低了SMPS解决方案的复杂性。此外，由于SiC器件所需尺寸的晶片日益增多，这项在以往看来非常奇特、昂贵的技术也逐渐变得经济实惠起来。
英飞凌刚刚发布其第三代（3G）SiC肖特基二极管。对于任何给定的电流额定值而言，3G thinQ!™ 系列都具备业界最低的器件电容。这进一步改善了整个系统能效，尤其在较高开关频率和低负载条件下。优势包括提高设计的频率和解决方案的功率密度。此外，降低的冷却要求推动系统成本进一步降低。
另外，英飞凌提供了业界最齐全的SiC肖特基二极管产品组合，不仅包括TO-220封装（真正的2引脚版），还包含适用于高功率密度、表面贴装设计的DPAK封装。
- 更低的成本
- 由于具备业界最低的点电荷Qc（反向恢复电荷Qrr）（对于任何额定电流而言），因此可实现最低开关损耗
- 出色的浪涌电流稳定性、较高的可靠性和耐用性
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