Leistungshalbleiter

650V-CoolMOS™ CFD2 mit integrierter schneller Body-Diode

Wirkungsgradvergleich bei 100 kHz zwischen CFD und CFD2 in einem 12-V-Serverschaltnetzteil mit Vollbrücke und Nullspannungsumschaltung

Mit dem neuen CoolMOS™ CFD2 für 650V hat Infineon die zweite Generation seiner führenden CoolMOS™-Hochvolt-MOSFETs mit integrierter schneller Body-Diode auf den Markt gebracht. Dabei handelt es sich um die erste 650-HV-MOS-Technologie mit integrierter schneller Body-Diode auf dem Markt. Das CFD2-Portfolio bietet alle Vorteile schnell schaltender SJ-MOSFETs, ohne dass dabei Kompromisse bei der Handhabung gemacht werden müssen. Mit den neuen 650V-CoolMOS™ CFD2-Bausteinen, den Nachfolgern der 600V-CFD-Familie, setzt Infineon neue Maßstäbe. Das weichere Umschaltverhalten und die daraus resultierende Verbesserung der EMI-Störfestigkeit verschaffen diesem Produkt einen klaren Wettbewerbsvorteil gegenüber vergleichbaren Produkten. Mit seinem im Vergleich zur C3-basierten CFD-Technologie deutlich niedrigeren Preis und dem besseren Wirkungsgrad bei kleinen Lasten (aufgrund der geringeren Gate-Ladung) ist dieses Produkt die ideale Wahl bei Resonanzschaltanwendungen.

Begrenztes Spannungsüberschwingen aufgrund der harten Umschaltung – di/dt und dv/dt mit Selbstbegrenzung Im Vergleich zur CFD-Technologie auf C3-Basis deutliche Reduzierung des Qg-Wertes Kleinerer Unterschied zwischen maximalem RDS(on) und typischem RDS(on). Geringe Schaltverluste aufgrund des niedrigen Qrr-Wertes während häufiger Umschaltung auf die Body-Diode Niedriger Qoss-Wert Kleinere Ein- und Ausschaltverzögerung Einfache Integration in die Schaltung

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