功率半导体
全新1200V IGBT High Speed3系列突破不同拓扑的开关速度限制
全新1200V IGBT High Speed3系列的开发是专门针对优化高频电源硬开关和软开关拓扑的需要。 由于功率密度和电源效率是这两种拓扑的关键参数，因此IGBT优化就成为了实现这些目标的关键要素。IGBT是开关频率在20 kHz以上应用的理想选择。在这样的开关频率条件下，导通损耗微不足道，极低的尾电流可大幅优化开关损耗。 拥有卓越耐用性的第四代射极控制二极管与快速开关IGBT的结合使用，可进一步优化二极管性能，平衡开关损耗和导通损耗。 全新的1200V IGBT系列针对高频太阳能、UPS和焊接应用进行了优化，可提供行业基准性能和出类拔萃的功率密度。
传感器
面向消费类电子应用的全新TLV 49x6系列
英飞凌面向低端工业应用和消费类电子应用，推出全新产品系列——TLV 49x6。这些器件是基于斩波型霍尔传感器的高精度、霍尔效应开关。作为单极和锁存开关，这些产品具备增强的精度和出色的抗电气干扰性能。小型SMD封装和窄引脚封装可提高设计的灵活性。这种产品系列采用用户定制设计，可满足低端工业应用客户和消费类电子产品客户的具体需求。
汽车功率半导体
TLE 826x——全新的系统基础芯片系列
英飞凌推出全新的系统基础芯片（SBC）系列。它已被大众、奥迪、戴姆勒和福特等多家汽车厂商接受，现已实现量产。SBC常与微控制器和ECU功率驱动器件一同工作。这种器件通常应用于汽车车身电子装置，但也适用于其他汽车应用。为了支持这些应用，该SBC系列采用一个高速CAN收发器和多个用于数据传输的LIN收发器。在该系列器件中采用的LIN收发器通道数各不相同。该器件集成多个降压（LDO）稳压器，一个负责为微控制器供电，另一个负责为CAN收发器或其它功能模块供电。如果有扩展电源要求，可采用外置PNP晶体管，生成第三个稳压器。 稳压器和整个SBC针对低功耗进行了优化。该芯片通过一个16位串行口，与微控制器通信。主要特性包括一个超时看门狗、窗口看门狗和欠压复位功能。在出现故障的情况下，limp home特性可实现某些特定功能。该SBC系列可降低物料成本（BOM）和占板空间。在低功率模式下，它还可减少PCB的 ...
功率半导体
OptiMOS™ 200V 和250V——实现最高能效的理想之选
我们利用全新的200V和250V OptiMOS™ 器件，壮大了我们的电源转换MOSFET器件阵容。 OptiMOS™ 200V 和250V器件可使48 V电源整流级的能效达到95％以上。比目前的典型水平高出2％，相当于节省30％的能耗。相对于可选器件，这些器件的通态电阻RDS(on)和栅极电荷（Qg）分别降低了50％和35%。此外，该系列还可通过减少并联器件的数量，采用较小的热沉（因为通态电阻RDS(on)较低）以及实现快速、简化的设计流程（由于具备优化的开关行为），降低了系统成本。 OptiMOS™ 200V 和250V系列出类拔萃的特性意味着，这些器件可利用纤薄的SuperS08 （5mm x 6mm x 1mm）封装代替以往较大的D2PAK （9mm x 10m ...
汽车功率半导体
首个采用DPAK封装的24V HITFET™ 系列
为壮大英飞凌HITFET™ 24 V产品阵容，我们推出6款DPAK表贴封装的全新器件。这些器件有三种不同的导通电阻RDS(on)，每种产品又分为自锁和重启功能。这些器件是现有绿色TO220 HITFET™ 系列的理想替代产品，具备一流的保护特性。 所有这些新器件都具备第二代HITFET™ 器件（从BTS 118D、BTS 134D到BTS 142D）的全面保护特性。
即时新闻
Register now to receive the latest product updates by E-Mail
, 新闻稿
Infineon bringt Chip-Intelligenz in raue Umgebungen: Neue 8-bit-Mikrocontroller arbeiten selbst bei Hochtemperaturen von 150 °C zuverlässig
02. March 2010 10:05
更多（链接）
Special Editions
Click here to access our special issues:
Motor Control
