汽车功率半导体

BTS 7904 — 单封装P/N沟道解决方案

BTS 7904 框图

BTS 7904系列包含适用于桥接应用的OptiMOS-T P FET 30 V + N FET 55 V器件。BTS 7904B和BTS 7904S包含采用相同漏极配置的12.7 m P沟道FET和11.7 m N沟道FET。

对于半桥而言，一个FET可管理电压从而驱动电机，另一个FET可在循环过程中用于实现有源续流。这些产品采用绿色、强健封装，可实现260°C的回流温度，符合RoHS标准。所有车用MOSFET也完全符合AEC-Q101标准的车用器件相关规范。

在一个D²PAK封装内集成了2个功率MOSFET 相对于两个D²PAK封装，PCB占位空间降低一半 无需电荷泵或驱动器IC 主要特性 '- 单封装解决方案 P/N沟道MOSFET '- 逻辑电平接口 '- 30 V高边和55V低边

半桥 全桥 三相电机