Communication sans fil
Nouveaux transistors de puissance RF LDMOS pour les bandes 800MHz et 900MHz avec puissance de sortie pouvant atteindre 360W
Infineon a étendu sa famille de transistors de puissance RF LDMOS pour inclure trois nouveaux produits destinés aux amplificateurs Doherty pour les applications LTE, WCDMA et CDMA. Les nouveaux transistors de puissance offrent une excellente efficacité, une pu ...
Communication sans fil
De nouveaux transistors de puissance RF LDMOS de 4W, 8W et 12W offrent des performances large bande de 700MHz à 2200MHz
Infineon a introduit trois nouveaux transistors de puissance RF LDMOS aux performances inégalées. Ils ciblent les amplificateurs de puissance RF fonctionnant dans la bande de fréquence 700MHz à 2200MHz. Disponibles en puissances de sortie (P1dB) 4W, 8W et 12W, ces transistors offrent d’excellentes performances thermiques, un gain et une efficacité éle ...
Communication sans fil
Nouveaux transistors LDMOS de 240W à 340W pour amplificateurs Doherty
Infineon a introduit une famille de cinq nouveaux transistors de puissance améliorés ciblant les amplificateurs Doherty. Cette nouvelle famille comprend des transistors avec des puissances de sorties (P1dB) allant de 150W à 340W et disponibles dans les bandes de fréquence 1800MHz, 1900MHz et 2100MHz. Fabriqués avec la toute dernière technologie de traitemen ...
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Nouvelle famille d'amplificateurs de puissance RF LDMOS
Infineon a élargi sa gamme de produits de puissance RF avec une famille d’amplificateurs de puissance RF à deux étages pouvant être utilisés dans les amplificateurs de puissance cellulaires multimodes, à porteuses multiples actuels. Ces nouveaux produits ...
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Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen
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