Comunicazioni wireless
Il nuovo transistor a RF in LDMOS per gli 800 e 900MHz con potenze di uscita fino a 360W
Infineon ha ampliato la sua famiglia di transistor di potenza a RF in LDMOS includendo tre nuovi prodotti finalizzati all’uso negli amplificatori Doherty per applicazioni LTE, WCDMA e CDMA. I nuovi transistor di potenza offrono un’eccellente efficienza, un’ eleva ...
Comunicazioni wireless
I nuovi transistor LDMOS RF di potenza da 4W, 8W e 12W offrono un eccellente comportamento su tutta la banda da 700 MHz a 2200 MHz
Infineon ha introdotto tre nuovi transistor LDMOS RF di potenza. Sono particolarmente adatti per l’uso in amplificatori che operano nelle frequenza fra 700MHz a 2200MHz. Disponibili in potenze di uscita (P1dB) di 4W, 8W e 12W, questi transistor offrono un eccellente comportamento termico, un elevato guadagno ed un alta efficienza. Sono disponibili in contenitori a 10 pin SON plastici che sodd ...
Comunicazioni wireless
I nuovi transistor LDMOS da 240W e 340W per amplificatori Doherty
Infineon ha introdotto una famiglia di cinque nuovi transistor di potenza progettati specificatamente per l’uso in amplificatori Doherty. Questa nuova famiglia è composta da transistor con potenze di uscita (P1dB) da 150W a 340W e disponibili nelle bande di frequenza di 1800MHz, 1900MHz e 2100MHz. Costruiti con la più recente tecnologia LDMOS di Infineon, offrono un elevato guad ...
Comunicazioni wireless
Nuova famiglia di amplificatori di potenza RF in LDMOS
Infineon ha ampliato il proprio portfolio di prodotti RF con una famiglia di amplificatori a due stadi progettati per l’uso come amplificatori di potenza in multi-mode e multi-carrier per cellulari. Questi nuovi prodotti sono ideali per applicazioni di comunicazione anche non di tipo cellulare. ...
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Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen
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