Semiconduttori di potenza

CoolMOS^TM CFD2 da 600V con diodo Fast Body integrato

Confronto della efficienza fra CFD e CFD2 in un server SMPS 12V con topologia ZVS FB @ 100kHz

Infineon presenta la seconda generazione della sua ben nota tecnologia di MOSFET ad alta tensione CoolMOS^TM da 650V con diodo di fast body integrato. Si tratta del primo MOS ad alta tensione da 650V con diodo integrato disponibile sul mercato. Il portfolio CFD2 fornisce tutti i benefici del MOSFET a commutazione veloce SJ mantenendo però la facilità d’uso. Il nuovo CoolMOS^TM CFD2 da 650V è il successore del 600V CFD, e ne incrementa le prestazioni. Una commutazione più dolce ed il risultante miglioramento del comportamento EMI da a questo prodotto un chiaro vantaggio rispetto alla concorrenza. Offrendo poi una significativa riduzione di prezzo rispetto alla serie CFD, fondata sulla tecnologia C3, e proponendo una più elevata efficienza (dovuta alla riduzione della carica di gate), questo prodotto è la scelta migliore per applicazioni switching risonanti.

Limitata sovratensione durante le commutazioni “hard” – di/dt e dv/dt auto limitanti Significativa riduzione del valore di Qg in confronto ai CFD fondati sulla tecnologia C3 Limitazione della finestra di valori fra RDS(on) max e RDS(on) typ Basse perdite di commutazione grazie al basso valore di Qrr Basso valore di Qoss Ridotti valori di delay all’accensione e allo spegnimento Semplice da utilizzare

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