Communication sans fil

De nouveaux transistors de puissance RF LDMOS de 4W, 8W et 12W offrent des performances large bande de 700MHz à 2200MHz

Transistors de puissance RF LDMOS 4W, 8W et 12W fonctionnant dans la bande de fréquence 700MHz à 2200MHz

Infineon a introduit trois nouveaux transistors de puissance RF LDMOS aux performances inégalées. Ils ciblent les amplificateurs de puissance RF fonctionnant dans la bande de fréquence 700MHz à 2200MHz. Disponibles en puissances de sortie (P1dB) 4W, 8W et 12W, ces transistors offrent d’excellentes performances thermiques, un gain et une efficacité élevés. Ils sont disponibles en boîtier plastique SON 10 broches conforme RoHS et sont adaptés à une large gamme d'applications d'amplificateur de puissance RF dans les systèmes cellulaires, industriels, satellites et non cellulaires.

Références :
PTFA 220041M V4 - 4W
PTFA 220081M V4 - 8W
PTFA 220121M V4 - 12W

Caractéristiques deux tons typiques
PTMA 220041M, 1840MHz, 28V 
P_out : 4W PEP 
Gain : 19dB 
Efficacité : 37,5dB 
IM : -29dBc

PTMA 220121M, 2140MHz, 28V 
P_out = 9,3W PEP
Gain : 16,2dB
Efficacité : 37dB
IM : -29 dBc

Quatre cartes d'évaluation standard sont disponibles :
LTN/PTFA 220041M-9 - réglée sur 940MHz
LTN/PTFA 220041M - réglée sur 1840MHz
LTN/PTFA 220121M-8 - réglée sur 877MHz
LTN/PTFA 220121M - réglée sur 2140MHz

Performances large bande de 700MHz à 2200MHz Faible résistance thermique Conforme RoHS Capable de gérer 10:1 VSWR à 28V, puissance de sortie CW Protection ESD intégrée Cartes d’évaluation disponibles

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