Semiconduttori di potenza
Diodo Schottky in tecnologia Silicon Carbide 2G thinQ!™ ora disponibile in contenitore TO-220 FullPAK
Confronto fra le resistenze termiche offerte da contenitori standard Infineon TO-220, To-220 FullPAK ed i contenitori FullPAK della concorrenza
Il Silicon Carbide (SiC) è un semiconduttore ideale per applicazioni di elettronica di potenza, che sorpassa agevolmente le caratteristiche dei dispositivi di potenza in tecnologia Si e GaN. In special modo nel campo di applicazione dei 600V, rappresenta il punto di riferimento in commutazione (virtualmente senza perdite) ed in conduzione.
Queste proprietà permettono di ottenere la migliore efficienza e riduzione di complessità in soluzioni SMPS.
In aggiunta, poiché il diametro dei wafer di SiC aumenta, questa tecnologia che era considerata esotica e costosa sta diventando sempre più economica. Il nostro nuovo contenitore FullPAK combina le elevate prestazioni elettriche dei diodi Schottky al SiC di seconda generazione (2G) con i vantaggi di un contenitore isolato, senza una variazione importante del comportamento termico rispetto a soluzioni standard in TO-220. La tecnica di saldatura a diffusione brevettata permette una netta riduzione nella resistenza termica fra il chip ed il lead frame e posiziona i prodotti Infineon in FullPAK al livello più alto della loro classe di funzionamento.
In aggiunta, Infineon offre il più ampio portfolio di prodotti industriali in questo contenitore con correnti fino a 6A. Il grafico mostra lo stesso valore di resistenza termica per i prodotti Infineon da 2 e 3A, e solo un leggero incremento per altri valori di corrente. Questa limitata differenza è solitamente compensata nel montaggio finale dove, per i contenitori in TO-220, viene utilizzato un materiale isolante. La nostra tecnica di saldatura a diffusione brevettata pone questi thinQ!™ 2G davanti ai nostri concorrenti (che offrono prodotti solo fino a 3A).
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Ulteriori informazioni
Semiconduttori di potenza
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