전력반도체

EiceDRIVER™ - e모빌러티 및 저전압 구동을 위한 200V 3상 게이트 드라이버 IC

EiceDRIVER™ 6ED003L02-F는 3상 게이트 드라이버 IC로 최대 200V의 차단 전압을 통해 3상 시스템의 IGBT, MOSFET 등과 같은 전력 디바이스를 제어할 수 있다. 이 디바이스는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기술에 기반하고 있으며, 음의 과도전압에 대해 내성이 매우 강하다. 표준 모노리식 고전압 IC 기술과 비교해 인피니언의 SOI 박막 기술은 기생 사이리스터 구조를 가지고 있지 않다. 이를 통해 극한의 온도 및 전압 조건들에 노출되었을 경우에도 래치-업 현상에 대해 탁월한 강건성을 제공한다.

SOI 기술에 기반하고 있기 때문에 최대 -50V까지의 음의 과도전류에 대해 내성 제공 CMOS- 및 LSTTL-호환 입력(인버티드 로직) 교차-도전 방지 과도전류 보호 과소전압 록아웃 에러 조건 발생 시 모든 스위치 셧다운 가능 프로그램 가능한 과도전류 감지 후 재시작 기능 RoHS-준수 TSSOP-28 패키지

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