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Leistungshalbleiter

Höchste Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit bei Gatetreiber-ICs und IGBTs für Induktionskochfelder

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Als Marktführer bei IGBTs bietet Infineon ein umfassendes Portfolio an diskreten 600-V-Hochleistungs-IGBTs für Resonanzschaltanwendungen wie z. B. Induktionskochfelder. Das Portfolio wurde entwickelt, um optimale Resultate bei den Schalt- und Leitungsverlusten zu erzielen und eine hohe Effizienz und kurze Markteinführung zu ermöglichen. Vor Kurzem wurde die HighSpeed3-Produktfamilie um den IHW 40N60RF erweitert. Der neue Baustein wurde für schnelle Schaltanwendungen konzipiert, die eine Optimierung der Schaltverluste erfordern, und bietet ein ausgezeichnetes Betriebsverhalten im gesamten Temperaturbereich. Im Vergleich zu anderen Produkten reduziert er die Schaltverluste um bis zu 20%.

In Verbindung mit dem neuesten Halbbrückentreiber 2ED020I06-FI bietet Infineon eine zuverlässige und kostengünstige Lösung zur Ansteuerung von IGBT- und MOSFET-Leistungsstufen mit einer Durchbruchsspannung bis 600V. Der IC ist Teil der EiceDRIVER™-Produktfamilie und basiert auf einem kernlosen Transformator. Diese Technologie vereint die Vorteile induktiver Signalübertragung und der Trennung durch eine kompakte IC-Treiberstufe. Anders als bei Optokopplern tritt bei diesen ICs keine zeitabhängige Verschlechterung auf. Sie sind äußerst widerstandsfähig gegenüber negativen Spannungsspitzen, schalten schneller als monolithische Treiber-ICs und bieten einen höheren Wirkungsgrad sowie eine höhere Lebensdauer.

Die wichtigsten Merkmale Anwendungsgebiete
  • Funktionen (IGBT)
    • Umfassendes Portfolio an IGBTs mit optimierten Werten bei Vce(sat) und Eoff
    • Weiche Stromabschaltung
  • Funktionen (Gatetreiber)
    • Potenzialfreier High-Side-Kanal
    • Gate-Ansteuerströme: +1A / -2A
    • Spezieller Abschalteingang mit TTL-kompatiblen Pull-Up-Eingängen für 3,3V und 5V
  • Induktionsherde
  • Reiskocher
  • Mikrowellenöfen
  • Andere weich schaltende Anwendungen
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