Comunicazioni wireless

I nuovi transistor LDMOS da 240W e 340W per amplificatori Doherty

Transistor di potenza da 240W a 340W

Infineon ha introdotto una famiglia di cinque nuovi transistor di potenza progettati specificatamente per l’uso in amplificatori Doherty. Questa nuova famiglia è composta da transistor con potenze di uscita (P1dB) da 150W a 340W e disponibili nelle bande di frequenza di 1800MHz, 1900MHz e 2100MHz. Costruiti con la più recente tecnologia LDMOS di Infineon, offrono un elevato guadagno, una potenza di picco elevata, contenitori più piccoli (maggiore densità di potenza) e migliorato comportamento negli amplificatori Doherty. Disponibili in contenitori a cavità aperta, questi transistor forniscono un’eccellente affidabilità e consistenza.

Prodotti disponibili:
PTFB 182503EL V1 – 240W, 1805-1880MHz, contenitore “eared flange”
PTFB 182503FL V1 – 240W, 1805-1880MHz, contenitore “earless flange”

PTFB 192503EL V1 – 240W, 1930-1990MHz, contenitore “eared flange”
PTFB 192503FL V1 – 240W, 1930-1990MHz, contenitore “earless flange”

PTFB 212503EL V1 – 240W, 2110-2170MHz, contenitore “eared flange”
PTFB 212503FL V1 – 240W, 2110-2170MHz, contenitore “earless flange”

PTFB 213004F V1 – 300W, 2110-2170MHz, contenitore “eared flange”
PTFB 183404F V1 – 340W, 2110-2170MHz, contenitore “earless flange”

Caratteristiche tipiche
PTFB 212503EL/FL V1
Single-carrier WCDMA
- (2170MHz, 30V, 3GPP signal, ampiezza di banda del canale 3.84 MHz, PAR=7.5dB @ 0.01% CCDF) 
- Potenza media di uscita = 85W
- Guadagno = 18dB
- Efficienza = 37% 
- IMD = -33dBc

PTFB 213004F V1
Two-carrier WCDMA
- (2170MHz, 30V, 3GPP signal, ampiezza di banda del canale 3.84 MHz, PAR=8 dB @ 0.01% CCDF)
- Potenza media di uscita = 65W 
- Guadagno = 18dB 
- Efficienza = 27% 
- IMD = -35dBc

Elevato guadagno Ampio VBW Progettato per l’uso in amplificatori Doherty Migliorato per l’uso in sistemi di correzione di errore DPD Basso valore di resistenza termica Protezione ESD integrata Senza piombo, soddisfa le normative RoHS Disponibili vari schemi di riferimento

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