Automotive Power

Infineon präsentiert seine neuen p-Kanal-40V-Einfach-MOSFETs mit modernster OptiMOS™-P2-Technologie

OptiMOS™-T2, p-Kanal-MOSFET (40V) für Motorbrücken

Als Weltmarktführer im Bereich Automotive-Stromversorgungsmanagement hat Infineon gerade seine neueste Einfach-p-Kanal-40V-Leistungs-MOSFET-Familie für Automotive-Anwendungen mit fortschrittlicher Trench-Technologie auf den Markt gebracht.

Die OptiMOS™-P2-40V-Produkte setzen neue Maßstäbe für die nächste Generation von Automotive-Anwendungen in puncto Energieeffizienz, reduzierte CO2-Emissionen und Elektrifizierung. Sie eignen sich ideal für alle Arten von Steuerungen für Motoren bei elektrischen Servolenkungen, Dreiphasen- und H-Brücken-Motoren, Gebläsesteuerungen für Heizungs-, Lüftungs- und Klimaanlagen, elektrisch angetriebene Pumpen etc. – vor allem in Verbindung mit der Steuerung durch Impulsbreitenmodulation.

Elektrische Eigenschaften:
- Kleinster R_DS(on) bei 10V: 2,4mΩ (D²PAK) und 4,3mΩ (DPAK)
- Bis zu 90A Strom im DPAK- bzw. 180A Strom im D²PAK-Gehäuse
- MSL1 bis 175°C im robusten Gehäuse
- Zulassung für den Automotive-Bereich gemäß AEC

Alle 40V-Bausteine auf OptiMOS™ P2-Basis sind in vollem Umfang gemäß AEC für den Automotive-Bereich zugelassen und entsprechen der Feuchteschutzklasse 1 (MSL1). Die 40V-OptiMOS™-P2-MOSFETs sind in allen Standard-Leistungsgehäusen erhältlich, einschließlich TO-220, D²PAK und TO-262 sowie im D²PAK mit 7 Anschlüssen.

Keine Ladungspumpe für die High-Side-Ansteuerung erforderlich Einfache Schnittstellen-Treiberschaltung Weltweit kleinster RDS(on)-Wert bei 40V Höchste Strombelastbarkeit Kleinste Schalt- und Leitungsverluste, dadurch höchster Wärmewirkungsgrad Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit Standardgehäuse TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

High-Side-MOSFETs für Motorbrücken (Halbbrücken, H-Brücken, Dreiphasen-Motoren) Brückenkonfiguration mit 40Volt-p-Kanal-MOSFET als High-Side-Baustein ohne erforderliche Ladungspumpe