Automotive Power

Infineon presenta il nuovo MOSFET a canale P da 40V creato con la più recente tecnologia OptiMOS^TM-P2

OptiMOS^TM-T2 a canale P da 40V per pilotaggio motori

Come leader di mercato nella tecnologia di potenza in ambito automotive, Infineon ha appena introdotto la sua più recente famiglia di MOSFET di potenza a canale P da 40V in tecnologia trench, per applicazioni automotive.

I prodotti OptiMOS™-P2 da 40V sono il punto di riferimento per la prossima generazione di applicazioni automotive che definiscono gli standard per quanto riguarda l’efficienza energetica, la riduzione di emissioni di CO¬2 e l’elettrificazione. Sono ideali per tutti i tipi di controllo motore EPS, motori trifase e half-bridge, controller per ventole e HVAC, pompe elettriche etc. – in special modo in combinazione con controlli PWM.

Caratteristiche elettriche:
- Il più basso valore di R_DS(on) @ 12V: 2.4mΩ (D2PAK) e 4.3mΩ (DPAK)
- Fino a 90A di corrente in DPAK o 180A in D2PAK
- MSL1 fino a 175°C in contenitore “robust”
- Qualificato automotive AEC Tutti i prodotti OptiMOS™-P2 da 40V hanno la qualifica automotive AEC e MSL1.

Gli OptiMOS™-P2 da 40V sono disponibili in tutti i contenitori standard di potenza incluso il TO-220, il D2PAK ed il TO-262, così come il D2PAK a 7-pin.

Charge pump non richiesta per drive in high-side Circuito di pilotaggio semplificato Il più basso valore di RDS(on) a 40V disponibile sul mercato Il più elevato valore di corrente Le più basse perdite di commutazione e di conduzione per un’elevata efficienza termica Contenitore “robust” di qualità ed affidabilità superiori Contenitori standard: TO-252, TO-263, TO-220, TO-262

MOSFET high-side per pilotaggio motori (half-bridge, H-bridge, trifase) Configurazione a ponte con canale P da 40V come dispositivo high-side che non necessita del circuito di charge pump.