Semi- conducteurs de puissance

La nouvelle génération d’IGBT 1200 V HighSpeed3 repousse les limites de vitesse de commutation, permettant une utilisation à haute fréquence dans divers topologies.

Schéma de compromis

La nouvelle famille d’IGBT 1200 V HighSpeed3 a été spécialement développée pour un fonctionnement haute fréquence dans les topologies à commutation douce et dure demandant des commutateurs de puissance optimisés.

Étant donné que la densité de puissance et l’efficacité sont des paramètres clés dans les deux topologies, l’optimisation de l’IGBT en courant et en vitesse de commutation permet d’atteindre ces objectifs. L’IGBT est ainsi parfaitement adapté aux applications à fort courant dont la fréquence de commutation est supérieure à 20 kHz. A ces fréquences, les pertes par conduction sont insignifiantes, et le courant de queue très faible de ces IGBTs offre l’avantage d’optimiser considérablement les pertes par commutation.

Une diode contrôlée par émetteur de 4ème génération offrant une robustesse supérieure a été combinée à l'IGBT à commutation rapide pour optimiser davantage les performances de la diode et obtenir un équilibre parfait entre pertes par conduction et pertes par commutation.

Cette nouvelle famille d’IGBT 1200 V est parfaitement adaptée pour les applications haute fréquence à puissance élevée type soudage, UPS, convertisseurs solaires... Les IGBTs HighSpeed3 offrent des performances exceptionnelles à des courants élevés, offrant ainsi une référence de qualité dans le marché existant.

Conception compacte et dissipateurs de chaleurs de petites tailles La diode optimisée offre une faible dissipation de puissance de l’IGBT lorsqu’aucune puissance réactive n’est nécessaire Commutation douce

Onduleurs solaires Systèmes ASI (Alimentation Sans Interruption) Appareils de soudage