Semiconduttori di potenza

La nuova famiglia di IGBT a 1200V HighSpeed3 oltrepassa i limiti di commutazione in applicazioni con varie topologie

Schema di compensazione

La nuova famiglia di IGBT a 1200V HighSpeed3 è stata appositamente sviluppata per applicazioni ad alta frequenza in topologie di tipo hard-switching e soft-switching, le quali richiedono elementi di commutazione ottimizzati.

Poiché la densità di potenza e l’efficienza sono parametri importanti in entrambe le topologie, l’ottimizzazione dell’IGBT è un fattore importante per raggiungere tali obiettivi. L’IGBT è la scelta più appropriata per applicazioni a frequenze di commutazione oltre i 20 kHz. Le perdite di conduzione non sono significative a queste frequenze ed il valore molto ridotto della corrente di coda (tail current) ha il beneficio di ottimizzare significativamente le perdite in commutazione.

Un diodo controllato dall’emitter, di quarta generazione e che offre una elevata robustezza, viene accoppiato con l’IGBT veloce per una ulteriore ottimizzazione delle caratteristiche del diodo stesso e per determinare il giusto bilanciamento fra perdite di commutazione e di conduzione.

Questa nuova famiglia di IGBT a 1200V è ottimizzata per applicazioni come gli impianti solari ad alta frequenza, gli UPS e le saldatrici, dimostrando di essere un punto di riferimento nelle prestazioni e fornendo le più elevate densità di potenza.

Più compatta progettazione di sistema e ridotta dimensione del dissipatore L’ottimizzazione del diodo permette una ridotta dissipazione di potenza dell’IGBT quando non sia richiesta potenza reattiva Rilassato comportamento in commutazione

Inverter solari UPS Saldatrici