Semi- conducteurs de puissance
Les diodes Schottky en carbure de silicium 2G thinQ!™ sont désormais disponibles en TO-220 FullPAK
Comparaison de la résistance thermique offerte par le produit FullPAK TO220 d’Infineon et celui de la concurrence
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau de semi-conducteur idéal pour les applications électroniques de puissance, dépassant de loin les composants de puissance de type Si et GaN. Particulièrement dans la gamme 600V et plus, il offre un comportement de commutation inégalé (quasiment sans perte) et d'excellentes performances de conduction. Ces propriétés permettent une efficacité exceptionnelle et réduisent la complexité des solutions SMPS.
Par ailleurs, avec l'augmentation de la taille des wafers, cette technologie auparavant peu connue et onéreuse devient beaucoup plus abordable.
Notre nouvelle solution FullPAK combine les hautes performances électriques des diodes Schottky SiC de seconde génération (2G) d'Infineon avec les avantages d'un boîtier entièrement isolé, sans impact significatif sur le comportement thermique par rapport aux solutions TO-220 standard. Notre technique de soudage par diffusion brevetée permet une réduction très nette de la résistance thermique puce-grille de connexion et place les produits FullPAK d’Infineon en tête de leur catégorie en termes de performances.
Par ailleurs, Infineon offre le plus large portefeuille de diode SiC industriel dans ce boîtier avec des courants pouvant atteindre 6A. La courbe montre une même résistance thermique jonction-boîtier pour les produits Infineon 2 et 3A et des valeurs légèrement plus élevées pour les autres courants. Cette petite différence est généralement compensée par l’assemblage final comprenant une feuille isolante pour le boîtier TO-220 standard. Notre technique de soudage par diffusion brevetée donne à ces produits 2G thinQ!™ un avantage clair sur la concurrence (qui offre aujourd'hui uniquement des produits jusqu’à 3A).
| Principales caractéristiques | Applications |
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