Mobilfunk
Neue LDMOS-HF-Leistungstransistoren für 800MHz und 900MHz mit einer Ausgangsleistung bis 360W
Infineon hat seine LDMOS-HF-Leistungstransistor-Familie um drei neue Produkte erweitert, die für Doherty-Verstärker bei LTE-, WCDMA- und CDMA-Anwendungen ausgelegt sind. Die neuen Leistungstransistoren zeichnen sich durch einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Spitzenleistu ...
Mobilfunk
Neue einzigartige LDMOS-HF-Leistungstransistoren für 4W, 8W und 12W bieten 700MHz bis 2200MHz Breitbandleistung
Infineon hat drei neue herausragende LDMOS-HF-Leistungstransistoren auf den Markt gebracht. Die Transistoren sind für HF-Leistungsverstärker konzipiert, die im Frequenzband von 700MHz bis 2200MHz arbeiten. Sie sind in Versionen mit 4W, 8W und 12W Ausgangsleistung (P1dB) erhältlich und bieten ein ausgezeichnetes Wärmeverhalten, eine hohe Verstärkung und einen hohen Wirkungsg ...
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Neue LDMOS-Transistoren mit 240W bis 340W für Doherty-Verstärker
Infineon hat eine Produktfamilie mit fünf neuen Leistungstransistoren auf den Markt gebracht, die für den Einsatz in Doherty-Verstärkerschaltungen verbessert wurden. Die neue Produktfamilie besteht aus Transistoren mit Ausgangsleistungen (P1dB) von 150W bis 340W, die in den Frequenzbändern 1800MHz, 1900MHz und 2100MHz verfügbar sind. Die Transistoren werden mithilfe der neu ...
Mobilfunk
Neue LDMOS-HF-Leistungsverstärker-Familie
Infineon hat sein HF-Leistungsverstärker-Portfolio um eine zweistufige HF-Leistungsverstärker-Familie erweitert, die für den Einsatz in modernen Mobilfunk-Leistungsverstärkern mit mehreren Betriebsarten und Trägerfrequenzen ausgelegt ist. Die neuen Produkte eignen sich au&szl ...
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Infineon präsentiert neue Leistungstransistoren 650-V-CoolMOS C6/E6 für höchste Effizienz und einfache Kontrolle des Schaltverhaltens in Schaltnetzteilen
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