차량용 전력

N-채널 OptiMOS™-T2 30 V MOSFET를 통해 차량 애플리케이션에 대해 세계 최저 R_DS(on) 달성

전력 MOSFET의 병렬 동작

IPB 180N03S4L-H0은 D²PAK-7 표준 패키지에서 0.9mΩ의 최저 R_DS(on)을 제공하는 N-채널 단일 MOSFET이다. 이 제품은 차량-인증을 받았다.

OptiMOS™-T2 기술은 260° C 리플로를 견딜 수 있도록 설계되었으며, RoHS 준수를 위해 리드-프리 도금을 특징으로 한다. 첨단 트렌치 기술을 통해 인피니언은 낮은 게이트 전하, 낮은 커패시턴스, 낮은 스위칭 손실을 특징으로 하는 제품을 제공할 수 있다. 이를 통해 전기 모터 효율을 새로운 수준으로 향상시키는 동시에 EMC 방사를 최소화한다.

IPB 180N03S4L-H0은 하프-브리지, H-브리지, 3상 모터 제어 애플리케이션을 지원한다. 뿐만 아니라, 복수 MOSFET의 병렬 동작을 필요로 하는 매우 높은 전류 애플리케이션(500A 이상)을 지원한다. IPB 180N03S4L-H0은 180A 공칭 전류를 제공하여 병렬 MOSFET의 수를 줄일 수 있기 때문에 전류 공유 및 비용을 최적화시킨다.

차량용 전기 모터가 효율을 증가시키기 위해서 PWM 제어를 이동함에 따라 OptiMOS™-T2 30V 제품은 또한 역 연결에 대해 역배터리 보호 기능을 제공한다.

탁월한 품질 및 강건한 패키지를 통해 인피니언 제품에 대해 기대되는 성능을 보장한다.

D²PAK-7에서 최소 0.9 mΩ의 초저 RDS(on) 특성 최대 180 A의 공칭 전류 최적화된 게이트 전하는 보다 작은 드라이버 출력 단들을 지원한다. 스위칭 애플리케이션에 대한 탁월한 FOM 특성 간단한 회로 업그레이드를 위한 표준 패키지 풋프린트 강건한 패키지 및 RoHS 준수

배터리 관리 에너지 복구 고전류 역배터리 보호 기능 고전류 애플리케이션을 위한 모터 제어 기능