Leistungshalbleiter

Neue CoolMOS™ C6/E6-Generation als Nachfolger für die C3-Bestseller

Wirkungsgradvergleich zwischen C3 und E6 in einer CCM-Leistungsfaktorkorrekturstufe: 19mΩ bei 230V_AC und Gatewiderstand 75Ω bei 130kHz

Die bahnbrechenden Leistungsbausteine der CoolMOS™-Familie setzen neue Maßstäbe bei der Energieeffizienz. Sie wurden für bestimmte Anwendungen optimiert, z. B. für den Einsatz in Consumer-Produkten, Anlagen für erneuerbare Energien sowie in Telekommunikationsnetzteilen und -Adaptern. Mit dem besten Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt bietet die CoolMOS™-Familie die perfekte Antwort auf die ständig steigenden Energieeffizienz-Anforderungen. Diese neue, hochmoderne Hochvolt-Leistungs-MOSFET-Generation kann AC/DC-Netzteile noch effizienter, kompakter, leichter und kühler machen als bisher. Als Nachfolger der erfolgreichen C3-Familie bieten die C6/E6-Bausteine mehr Leistung, eine einfachere Handhabung und einen höheren Wirkungsgrad.

Unterschiede zwischen der C6/E6- und C3-Serie:
- C6/E6 bietet bei kleinen Lasten einen besseren Wirkungsgrad als C3
- C6/E6 verfügt über einen integrierten Gatewiderstand R_g
- C6/E6 macht die Integration in die Schaltung noch einfacher
- C6/E6 verringert externe parasitäre Effekte

Unterschiede zwischen der CoolMOS™-C6- und E6-Serie:

- C6- und E6-Bausteine unterscheiden sich durch den Wert des internen Gatewiderstands.
- Bei den C6-Bausteinen wurde der R_g-Wert für eine einfache Handhabung optimiert.
- Bei den E6-Bausteinen wurde der R_g-Wert für einen höheren Wirkungsgrad bei DCM-Anwendungen optimiert.