Mobilfunk

Neue LDMOS-Transistoren mit 240W bis 340W für Doherty-Verstärker

Leistungstransistoren für 240 W bis 340 W

Infineon hat eine Produktfamilie mit fünf neuen Leistungstransistoren auf den Markt gebracht, die für den Einsatz in Doherty-Verstärkerschaltungen verbessert wurden. Die neue Produktfamilie besteht aus Transistoren mit Ausgangsleistungen (P1dB) von 150W bis 340W, die in den Frequenzbändern 1800MHz, 1900MHz und 2100MHz verfügbar sind. Die Transistoren werden mithilfe der neuesten LDMOS-Prozesstechnologie von Infineon gefertigt und zeichnen sich durch höhere Verstärkung, höhere Spitzenleistung, kleinere Gehäuse (höhere Leistungsdichte) und ein verbessertes Betriebsverhalten in Doherty-Verstärkern aus. Diese Transistoren sind in Open-Cavity-Gehäusen erhältlich und bieten eine ausgezeichnete Zuverlässigkeit und Konstanz.

Erhältliche Produkte:
PTFB 182503EL V1 - 240W, 1805-1880MHz, Gehäuse mit Laschen
PTFB 182503FL V1 - 240W, 1805-1880MHz, Gehäuse ohne Laschen
PTFB 192503EL V1 - 240W, 1930-1990MHz, Gehäuse mit Laschen
PTFB 192503FL V1 - 240W, 1930-1990MHz, Gehäuse ohne Laschen
PTFB 212503EL V1 - 240W, 2110-2170MHz, Gehäuse mit Laschen
PTFB 212503FL V1 - 240W, 2110-2170MHz, Gehäuse ohne Laschen
PTFB 213004F V1 - 300W, 2110-2170MHz, Gehäuse ohne Laschen
PTFB 183404F V1 - 340W, 1805-1880MHz, Gehäuse ohne Laschen

Typische Kennwerte

PTFB 212503EL/FL V1
Typische WCDMA-Kennwerte bei einem Träger
(2170MHz, 30V, 3GPP-Signal, Kanalbandbreite 3,84MHz, PAR = 7,5dB bei 0,01% CCDF)
- Durchschnittliche Ausgangsleistung = 85W
- Verstärkung = 18dB
- Wirkungsgrad = 37%
- IMD = -33dBc

PTFB 213004F V1
Typische WCDMA-Kennwerte bei zwei Trägern
(2170MHz, 30V, 3GPP-Signal, Kanalbandbreite = 3,84MHz, PAR = 8dB bei 0,01% CCDF)
- Durchschnittliche Ausgangsleistung = 65W
- Verstärkung = 18dB
- Wirkungsgrad = 27%
- IMD = -35dBc