Automotive Power

Neue OptiMOS™ 55 V-n-Kanal-Doppel-MOSFETs in Super SO8-Gehäusen für Automotive-Anwendungen

Anwendungsbeispiel für ein Super S08-Doppelgehäuse

Infineon reagiert auf den wachsenden Energiebedarf von Automotive-Anwendungen mit 3 neuen n-Kanal-Doppel-MOSFETs in OptiMOS™ 55 V-Planartechnologie:

IPG 20N06S2L-35
IPG 20N06S2L-50
IPG 20N06S2L-65

Bei einem identischen Nennstrom von 20 A benötigen die OptiMOS™-Doppel-MOSFETs weniger Platz als DPAK-Gehäuse. Die Bausteine sind anstelle von Clips mit Al-Drahtanschlüssen ausgestattet, bei denen das Risiko geringer ist, dass sie sich ablösen. Dies trägt dazu bei, die Zuverlässigkeit zu erhöhen und die Kosten zu senken.  

Der wichtigste Vorteil besteht darin, dass 2 DPAK-Gehäuse durch ein Super S08-Doppelgehäuse ersetzt werden. Dadurch sind kompaktere Systemlösungen möglich, weil sich der Platzbedarf des Produkts von 130 mm² auf 32 mm² verringert.  

Neben den Vorteilen des Super S08-Doppelgehäuses bietet die OptiMOS™ 55 V-Planartechnologie eine höhere Avalanche-Energie, die bei Anwendungen wie ABS-Ventilen, Magnetventilen im Antriebsstrang und anderen induktiven Lasten erforderlich ist.  

Ausgezeichnete Qualität und ein robustes Gehäuse garantieren die Leistung, die Sie von Infineon erwarten. 

IPG 20N06S2L-35: 35 mΩ pro Kanal und Nennstrom bis 20 A IPG 20N06S2L-50: 50 mΩ pro Kanal und Nennstrom bis 20 A IPG 20N06S2L-65: 65 mΩ pro Kanal und Nennstrom bis 20 A Das Super S08-Doppelgehäuse kann mehrere DPAK-Gehäuse ersetzen und dadurch erhebliche Einsparungen bei Leiterplattenplatz und Systemkosten erzielen. Identisches thermisches und elektrisches Betriebsverhalten wie bei DPAK mit derselben Chipgröße. Alle Produkte sind für den Automotive-Bereich qualifiziert (AEC-Q101).

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