Automotive Power

Neue OptiMOS™T2-n-Kanal-Doppel-MOSFETs (40V und 60V) für Automotive-Anwendungen

Offenes SS08-Doppelgehäuse

Die kürzlich auf den Markt gebrachten OptiMOS™-T2-Doppel-MOSFETs (40V und 60V) im SuperS08-Gehäuse benötigen bei einem identischen Nennstrom von 20A weniger Platz als DPAK-Gehäuse.

Bei diesen Produkten werden Aluminium-Drahtanschlüsse anstelle von Clips verwendet, um die Gefahr des Ablösens zu verringern, die Zuverlässigkeit zu erhöhen und Kosten zu reduzieren. Der größte Vorteil besteht darin, dass zwei DPAK-Gehäuse durch ein SuperS08-Doppelgehäuse ersetzt werden. Dadurch sind kompaktere Systemlösungen möglich, weil sich der Platzbedarf des Produkts von 130mm² auf 32mm² verringert. Die robusten Gehäuse und das Automotive Excellence-Programm gewährleisten die hohe Qualität und Zuverlässigkeit, die Sie von Infineon gewohnt sind.

Elektrische Eigenschaften:
- Kleinster R_DS(on) der 40-V-Bausteine bei 10V gewährleistet einen Widerstand von 7mΩ pro Kanal und bis zu 20A Nennstrom
- Kleinster R_DS(on) der 60-V-Bausteine bei 10V gewährleistet einen Widerstand von 11mΩ pro Kanal und bis zu 20A Nennstrom
- Anschlussdraht von 200µm für bis zu 20A Strom
- Größerer Leadframe-Anschluss zum Drahtbonden
- Gehäuse: PG-TDSON-8-4 - Alle Produkte sind für den Automotive-Bereich zugelassen (AEC-Q101).

Mit dem SuperS08-Doppelgehäuse lassen sich mehrere DPAK-Gehäuse ersetzen und dadurch erhebliche Einsparungen beim Leiterplattenplatz und den Systemkosten erzielen. Identisches thermisches und elektrisches Betriebsverhalten wie bei DPAK mit derselben Chipgröße Außenliegende Anschlussfläche gewährleistet ausgezeichnete Wärmeübertragung (je nach Chipgröße) Zwei n-Kanal-MOSFETs in einem Gehäuse mit zwei getrennten Leadframes

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