Communication sans fil

Nouveaux transistors de puissance RF LDMOS pour les bandes 800MHz et 900MHz avec puissance de sortie pouvant atteindre 360W

Le PTFB093608FV offre la puissance de pointe la plus élevée pour la bande de fréquence 869-960MHz.

Infineon a étendu sa famille de transistors de puissance RF LDMOS pour inclure trois nouveaux produits destinés aux amplificateurs Doherty pour les applications LTE, WCDMA et CDMA. Les nouveaux transistors de puissance offrent une excellente efficacité, une puissance de pointe élevée et une largeur de bande vidéo importante.
Ils sont disponibles avec une puissance de sortie P1dB de 150W, 270W et 360W, et sont offerts dans les boîtiers discrets, intelligents et innovants d'Infineon pour des conceptions ultra-compactes.

Numéros de série :
PTFB093608FV V1 – 360W (P1dB à 28V)
PTFB082817FH V1 – 270W (P1dB à 28V)
PTFB091507FH V1 – 150W (P1dB à 28V)

PTFB093608FV WCDMA de porteuse unique typique
Caractéristiques à 960MHz, 28V, signal 3G PP, canal BW = 3,84MHz, PAR 10dB à une probabilité CCDF 0,01 % :
- Pout : 112W en moyenne
- Gain : 20dB
- Efficacité : 34dB
- ACPR : -36dBc

PTFB082817FH WCDMA de porteuse unique typique
Caractéristiques à 821MHz, 30V, signal 3G PP, canal BW = 3,84MHz, PAR 10dB à une probabilité CCDF 0,01 % :
- Pout : 50W en moyenne
- Gain : 19dB
- Efficacité : 35dB
- ACPR : -35dBc

PTFB091507FH FV WCDMA de porteuse unique typique
Caractéristiques à 960MHz, 28V, signal 3G PP, canal BW = 3,84MHz, PAR 7,5dB à une probabilité CCDF 0,01 % :
- Pout : 50W en moyenne
- Gain : 20dB
- Efficacité : 38dB
- ACPR : -36dBc

Chaque transistor est doté d’un circuit de référence pour une évaluation aisée :
LTN/PTFB093608FV – réglé à 960MHz
LTN/PTFB082817FH - réglé à 821MHz
LTN/PTFB091507FH - réglé à 960MHz