Leistungshalbleiter

OptiMOS™ 200V und 250V – die perfekte Wahl für höchste Wirkungsgrade

OptiMOSTM  für 200V und 250V – Bestwerte bei R_DS(on) und FOMg

Wir haben unser MOSFET-Portfolio um neue OptiMOS™-Produkte in 200V und 250V erweitert.

Mit den 200V- und 250V-OptiMOS™-Bausteinen ist ein Gesamtwirkungsgrad von über 95% in den Schaltnetzteilen für 48V-Systeme möglich. Das sind zwei Prozent mehr Wirkungsgrad als heute typisch und bedeutet 30% weniger Verlustleistung im System. Diese Technologien bieten mehr als 50% geringeren Durchlasswiderstand (R_DS(on)⁾ und bis zu 35% niedrigere Gate-Ladung (Q_g) als vergleichbare Bauelemente. Außerdem trägt diese Produktfamilie zur Senkung der Systemkosten bei, weil weniger parallel betriebene Bausteine erforderlich sind. Wegen des niedrigen R_DS(on) können kleinere Kühlkörper verwendet werden. Darüber hinaus lassen sich die Bausteine aufgrund ihres optimalen Schaltverhaltens schnell und problemlos in die vorgesehene Schaltung integrieren.

Aufgrund der herausragenden Eigenschaften der OptiMOS™-Produktfamilie für 200V und 250V können Sie mit diesen Bausteinen das große D²PAK-Gehäuse (9mm x 10mm x 4,5mm) durch das schmale SuperS08-Gehäuse (5mm x 6mm x 1mm) ersetzen. Dieser um weit mehr als 90% geringere Bedarf an Leiterplattenplatz ermöglicht Systeme mit höherer Leistungsdichte. Außerdem bieten 'Leadless'-Gehäuse wie das SuperSO8 ein ideales Schaltverhalten und höchsten Wirkungsgrad.

Überragendes Schaltverhalten Ausgezeichneter FOM-Wert, berechnet als Gate-Ladung x   RDS(on) RoHS-konform, halogenfrei

Unterbrechungsfreie Stromversorgungen Motorsteuerungen bei Anlagen mit 48V bis 110V Beleuchtungen für 110V-Wechselstromnetze HID-Lampen (z.B. bei Projektoren und Flutlicht)