Automotive Power

OptiMOS™-T2 30 V – MOSFET a canale N per applicazioni automotive con il più basso valore di R_DS(on) al mondo

Collegamento in parallelo dei MOSFET

IPB 180N03S4L-H0 è un singolo MOSFET a canale N con il più basso valore di R_DS(on) a 0.9 mΩ in contenitore standard D²PAK-7. E’ qualificato automotive.  

Le tecnologie OptiMOS™-T2 sono progettate per sopportare la saldatura a  260° C e non contengono piombo, in osservanza alle normative RoHS. Grazie alla sua avanzata tecnologia trench, Infineon offre prodotti con basso valore di carica di gate, bassa capacità e basse perdite di commutazione.  Tutto questo porta a più elevati valori nell’efficienza dei motori elettrici riducendo nel contempo le emissioni EMI.  

IPB 180N03S4L-H0 è adatto per applicazioni di controllo motore in topologia half-bridge, H-bridge e trifase. Inoltre, permette applicazioni a correnti molto elevate (oltre i 500 A) parallelando i componenti. IPB 180N03S4L-H0 fornisce una corrente nominale di 180 A, consentendo di ridurre il numero di componenti da parallelare, ottimizzando quindi i costi e le correnti per ciascun componente.  

Poiché i motori elettrici in ambiente automotive si stanno spostando sempre più verso soluzioni PWM per aumentare l’efficienza, i prodotti OptiMOS™-T2 da 30 V sono adatti anche all’uso come protezione in caso di errato collegamento della batteria.  

Una qualità eccellente ed un contenitore robusto assicurano che il componente soddisfi le caratteristiche che vi aspettate da Infineon. 

RDS(on) di valore ridottissimo, fino a 0.9 mΩ in D2PAK-7 Fino a 180 A di corrente nominale Carica di gate ottimizzata che permette di avere stadi di uscita ridotti Eccellente figura di merito per applicazioni di commutazione Contenitore a ingombro standard per un più semplice upgrade del circuito Contenitore robusto che soddisfa alle normative RoHS

Gestione della batteria Recupero di energia Protezione della batteria da collegamenti errati Controllo motori elettrici per applicazioni ad alta corrente