Отправить страницу  |   Печать страницы  |   Выберите язык  |   Регистрация на подписку  |  
 Поиск

Выберите язык

English German French Italian Russian Chinese Japanese Korean

Силовые приборы

OptiMOS™ в низковольтных драйверах — быстрее, компактнее, эффективнее

Image Самое низкое значение RDS(ON) среди компонентов в корпусе SuperSO8 Image

На сегодняшний день большая плотность мощности и высокая эффективность являются ключевыми факторами в таких приложениях, как схемы управления электродвигателями. Переход от корпусов TO-220 к SuperSO8 позволяет на 90% сократить занимаемую площадь на плате и кардинально повысить плотность мощности. Паразитная индуктивность корпуса SuperSO8 в три раза меньше, чем у TO-220, благодаря чему достигаются оптимальные коммутационные характеристики и наивысшая эффективность. Кроме того, очень низкая паразитная индуктивность позволяет уменьшить выбросы напряжения в системе. Это значительно упрощает разработку. Корпус SuperSO8 обеспечивает снижение коммутационных помех и улучшенную электромагнитную совместимость и потому отлично подходит для создания приложений с высокими эксплуатационными характеристиками.

При использовании корпуса SuperSO8 допустимая нагрузочная способность по току составляет 100А на транзистор, что особенно важно в сильноточных приложениях, таких как схемы управления электродвигателем. Большая площадь контакта между выводной рамкой и печатной платой гарантирует низкое тепловое сопротивление. Два прибора в корпусе SuperSO8 могут заменить один стандартный компонент в корпусе D²PAK, при этом тепловые и электрические характеристики компонента в корпусе SuperSO8 не хуже, а занимаемая площадь сокращается на 50%. Компоненты Infineon в корпусе SuperSO8 имеют самые низкие в отрасли значения RDS(on) и заряда затвора во всём диапазоне напряжений от 25до 250В. Эти компоненты помогут вам обеспечить наивысшую эффективность и плотность мощности при разработке приложений.

Особенности Применение
  • Самое низкое в отрасли значение RDS(on) и заряда затвора
  • Минимальная потребность в параллельном включении устройств
  • Снижение стоимости системы
  • Минимальное занимаемое место на плате
  • Простота разработки
  • Наивысшие значения эффективности и плотности мощности
  • Не содержат галогенов
  • Электромобили
  • Аккумуляторный инструмент
  • Электрические игрушки
  • Станки
Image

Дополнительно

Подробнее о продукции

Скачать

Номера для заказа

  • SP000416636
  • SP000446584
  • SP000652750
  • SP000676410
  • SP000676402
  • SP000451482
  • SP000394684

Share |

Силовые приборы

OptiMOS™ 3 на 75 В — транзисторы для синхронного выпрямления

Новое семейство транзисторов OptiMOS™ 3 75V имеет самое низкое сопротивление в открытом состоянии и превосходные характеристики переклю ...

Силовые приборы

OptiMOS™ P3 – технология мощных и надёжных 30-В p-канальных транз

Компания Infineon представляет новое поколение мощных и малосигнальных 30-вольтовых p-канальных MOSFET OptiMOS™ P3. Эти лучшие в своём классе ...

 

OptiMOS™ в корпусе SuperSO8

В таких приложен ...