功率半导体

OptiMOS™ 200V 和250V——实现最高能效的理想之选

图表文字：200V 和 250V OptiMOS™ 在通态电阻R_DS(on)和栅极电荷优值FOMg方面树立行业标杆

我们利用全新的200V和250V OptiMOS™ 器件，壮大了我们的电源转换MOSFET器件阵容。 OptiMOS™ 200V 和250V器件可使48 V电源整流级的能效达到95％以上。比目前的典型水平高出2％，相当于节省30％的能耗。相对于可选器件，这些器件的通态电阻R_DS(on)和栅极电荷（Q_g）分别降低了50％和35%。此外，该系列还可通过减少并联器件的数量，采用较小的热沉（因为通态电阻R_DS(on)较低）以及实现快速、简化的设计流程（由于具备优化的开关行为），降低了系统成本。 OptiMOS™ 200V 和250V系列出类拔萃的特性意味着，这些器件可利用纤薄的SuperS08 （5mm x 6mm x 1mm）封装代替以往较大的D²PAK （9mm x 10mm x 4.5mm）封装。这可使所需的占板空间降低90％以上，确保实现更高功率密度系统。此外，SuperSO8这样的无管脚封装可提供理想的开关行为和出色的能效水平。

主要特性： 业内最低的通态电阻RDS(on)和栅极电荷Qg 出色的开关性能 出色的优值系数（栅极电荷x通态电阻） 符合RoHS标准，不含卤素 应用：

AC/DC SMPS的同步整流 48 V-110 V系统的电机控制 110 V交流网络的照明 HID灯（即投影机、泛光灯） D级音频放大器 不间断电源