Semi- conducteurs de puissance
OptiMOS™ 200V et 250V - Le choix idéal pour une efficacité optimale
RDS(on) et FOMg de l’OptiMOS™ 200V et 250V
Nous avons étendu notre portefeuille de MOSFET de puissance OptiMOS™ en y intégrant de nouvelles familles de tension 200V et 250V. Les MOSFETs OptiMOS™ 200V et 250V offrent des niveaux d’efficacité supérieurs à 95% dans les étages de redressement de l’alimentation 48V. C’est 2% de plus que le niveau généralement disponible actuellement, ce qui se traduit par des pertes de puissance inférieures de 30%. Ces technologies offrent un RDS(on) 50% plus faible et une charge de grille (Qg) de 35% inférieure aux dispositifs alternatifs. Cette famille de produit permet également une diminution du coût global du circuit, par sa densité de puissance, ce qui permet de réduire le nombre de composant mis en parallèle, par son faible RDS(on) permettant de réduire la taille des dissipateurs de chaleur, ainsi que par un comportement en commutation optimisé, diminuant du coup la taille des filtres CEMs et leur temps de conception. Les caractéristiques exceptionnelles de la famille OptiMOS™ 200V et 250V permettent de remplacer les anciens boîtiers encombrants D2PAK (9mm x 10mm x 4.5mm) par le boîtier compact SuperS08 (5mm x 6mm x 1mm). Cela permet de réduire les exigences d’espace sur la carte de plus de 90% et d'obtenir une meilleure densité de puissance. De même, ces boîtiers CMS tels que le SuperSO8 offrent un excellent comportement de commutation à hautes fréquences et des rendements élevés.
| Principales caractéristiques | Applications |
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